Użytkownik "janusz_k" <J...@o...pl> napisał w wiadomości
news:op.w53dqlukn0u1o8@moj...

> Po 1 dyrdymały to sam piszesz zobacz jak przewodzi ten
> tranzystor przy 3V na odpowiednim wykresie.

On nie jest idealny, ale twierdzenie że jest zły jest na tyle dalekie od
prawdy, że nazwałem je dyrdymałami.

Skąd wziąłeś 3V.
W pierwszym poście pytający podał, że spadek na tyrystorze ma 0,6V gdy użył
tylko tyrystora do zasilania dysku.
To się mniej więcej zgadza z danymi tyrystora - spadek typowo 1,23V przy
obciążeniu 5A a tu nie powinno być więcej jak 1A, do tego pomiaru mógł
dokonać gdy dysk był w jakimś power save.
Przy obciążeniu 2k2 zamiast dysku spadek nie może być większy.
Więc na bramce minimum 4V.
Dysk USB nie powinien brać więcej jak 0.5A (taka jest wydajność złącza USB)
lub 1A (niektóre się włącza w dwa gniazdka).
Według wykresów dla (wyraźnie zaniżonego) 3V spadek przy 1A nie powinien
przekroczyć 0,2V (z lewego wykresu), a dla 4V nie powinien przekroczyć 0,06V
(z prawego wykresu).

>>katalogową tego
>> MOSFETa, ewentualnie skorzystaj z linku który wczoraj podałem w
>> pierwszej mojej wypowiedzi w tym wątku.
>Po 2 piszesz dyrdymały bo podałeś linka tyrystora.

Coś z logiką szwankuje.
To, że podałem też link do tyrystora nie oznacza, że twierdzenie że podałem
link to tranzystora jest fałszywe. To są dwa niezależne zdarzenia i z
prawdziwości/fałszywości jednego nie można wyciągać żadnych wniosków co do
prawdziwości/fałszywości drugiego.

>> Co Ci się nie podoba w tym mosfecie który on użył ?
> Nic, po prostu przy takim sterowaniu nie otworzy go całkowicie. Po drugie
> układ robi się pokomplikowany i
> wrażliwy na różne czynniki, np zakłócenie spowoduje
> że mu się będzie dysk sam załączał.

Tego bym się szczerze mówiąc nie obawiał ani w układzie z tyrystorem (po
ewentualnym dodaniu rezystora między bramką a katodą tyrystora) ani w
układzie z tranzystorem, który mu proponuję.
Leakage current tyrystora typowo 0.1mA przy napięciu znamionowym czyli 400V.
Przy 5V będzie znacznie mniej. 0.1mA * 2k2 = 0,22V a będzie znacznie mniej -
do włączenia MOSa jeszcze daleko.
Aby (w moim układzie) pnp sam się włączył musiało by się z powietrza wziąć
140uA (2*(0.7/10k)), a aby MOS się na tyle włączył aby pnp zaskoczył musiało
by się z powietrza wziąć 1mA (2V/2k2) i to na tyle długo aby przeładować
0,5nF (pojemność bramki).

>> Ma nie być niskonapięciowy ?
> Są lepsze.

Jak się nie ma co się lubi to się lubi co się ma - projektowanie pod
zawartość szuflady to pewnego rodzaju sztuka.
P.G.