Czy Szanowni Czytelnicy wiedza dlaczego dla diody schottky nie jest podawany
parametr trr (czas przelaczenia diody) ktory jest podawany dla diod szybkich
i ultraszybkich?
Ktora z nich (UF czy schottky) szybciej odzyskuje wlasnosci zaporowe i jakie
to są czasy (rząd) dla diody schottky'ego?
Dlaczego pojemnosc złącza dla diod schottky jest wieksza niz dla diod
szybkich i czy bedzie ona odgrywala role lub miala jakis wplyw na dlugosc
czasu odzyskiwania wlasciwosci zaporowych diody podczas szybkiego
przelaczania?
Zapraszam do dyskusji.

do góry

Dnia Mon, 01 Jun 2009 00:38:20 +0200, roxy napisał(a):

> Czy Szanowni Czytelnicy wiedza dlaczego dla diody schottky nie jest
> podawany parametr trr (czas przelaczenia diody) ktory jest podawany dla
> diod szybkich i ultraszybkich?
Bo Schottky nie ma praktycznie pradu rr (brak czasu rekombinacji). Jedyny
to ten co laduje pojemnosc.

--
Jaroslaw "jaros" Berezowski

do góry

Witam,

Dnia 1.06.09 (poniedziałek), 'roxy' napisał(a):

> Czy Szanowni Czytelnicy wiedza dlaczego dla diody schottky nie jest podawany
> parametr trr (czas przelaczenia diody) ktory jest podawany dla diod szybkich
> i ultraszybkich?

Np. dla BAS85 (małosygnałowa) Vishay podaje trr=5ns...
Dla diod małej mocy można trr jeszcze spotkać, ale dla większych prądów już
nie widziałem, nie wiem z czego to wynika...


--
Pozdrawiam,
Dykus.

do góry

"Dykus" <d...@s...wp.pl> wrote in message
news:dlwed2d0wxcq$.1upkv51xm9uzx.dlg@40tude.net...
> Witam,
>
> Dnia 1.06.09 (poniedziałek), 'roxy' napisał(a):
>
>> Czy Szanowni Czytelnicy wiedza dlaczego dla diody schottky nie jest
>> podawany
>> parametr trr (czas przelaczenia diody) ktory jest podawany dla diod
>> szybkich
>> i ultraszybkich?
>
> Np. dla BAS85 (małosygnałowa) Vishay podaje trr=5ns...
> Dla diod małej mocy można trr jeszcze spotkać, ale dla większych prądów
> już
> nie widziałem, nie wiem z czego to wynika...

Datasheet CTB-34 (40V 15A) podaje trr=100ns.

do góry