Hello EM,

Thursday, April 15, 2010, 5:14:36 PM, you wrote:

> >>> Tak jak wspominałem zastanawiam się nad problemem strat mocy
> wynikających z
> >>> Rdson oraz strat na przełączaniu. Jak dobrać jakiś kompromis
> pomiędzy małym
> >>> RDSon a niezbyt dużą pojemnością bramki.
> >>> W sumie powinno wystarczyć napięcie ok. 40V (wcześniej zakładałem 55)
> >
> >> Może być nawet 30V. Na przykład dwie sztuki Si4410 połączone
> >> równolegle.
> >
> > Tfu! Myślę o jednym, piszę o czymś innym - oczywiście wystarczy jedna
> > sztuka.
> >
> Liczyłem na doświadczenia, typu: ten ma dobre RDSon, ale dużą pojemność,
> więc mniejsze straty wyjdą np. z tym...

Dostajesz rozwiązanie na patelni, gotowe. I jojczysz.

> Czy mogę liczyć, że wystarczy SO8, czy lepiej jakaś obudowa z której
> będę mógł łatwiej odprowadzić moc w miarę potrzeby, czyli tak jak
> wspominałem IPAK/DPAK?

Ale chciałeś małą powierzchnię? No to masz.

Dane wejściowe dla najgorszego przypadku:
Uwe - 7V
Uwy - 24V
Iwy - 1.5A
f - 200 kHz
Uf - 0.7V
Rdson - 0.032 oma (Ugs = 4.5V, tj = 100 stopni)

Otrzymujemy:

tryb CCM
ton - 3.58 us
T - 5 us
imin - 4.04A
imax - 6.55A
Irms - 4.52A
moc strat na kluczu - 0.65W, w rzeczywistości straty na przewodzeniu
będą mniejsze.

> Chyba jednak po prostu muszę przysiąść do przykładowych obliczeń...

Licz - ciekaw jestem, co Ci wyjdzie.

> Dziękuję serdecznie za dotychczasową pomoc

--
Best regards,
RoMan mailto:r...@p...pl
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)