Hello EM,

Friday, April 16, 2010, 8:00:54 AM, you wrote:


>> Straty na przełączanie są dokładnie proporcjonalne do częstotliwości.
>> Z obliczeniami jest kłopot - można jedynie szacować dla najgorszego
>> przypadku według wzoru, który sam znalazłeś na stronie 16 PDFa, czyli
>> mniej więcej:
>>
>> (Up*Ip/2) * (thl+tlh) * f
>>
>> Dla Si4410 czasy thl i tlh będą rzędu dziesiątek ns, razem można
>> szacować na 100ns. Czyli mamy (25*7/2) * 100E-9 * 200E+3 = 1.75W - w
>> rzeczywistości będzie to jednak mniej. Ładunek całkowity dla Si4410
>> jest tak mały, że od niego praktycznie czasy nie zależą. Według mojej
>> oceny rzeczywista moc tracona na przełączaniu dla najgorszego
>> przypadku nie zbliży się nawet do 1W.

>> Jeszcze jedna uwaga - zapomniałem o tym, że dla najgorszych warunków
>> napięcie na bramce będzie na tyle niskie, że współczynnik
>> temperaturowy Rdson będzie bliski zeru. W związku z tym niepotrzebnie
>> przyjąłem współczynni wzrostu równy 1.6 - można ze spokojnym sumieniem
>> uznać Rdson = 0R02 a nie przesadzone 0R032. Co oznacza, że straty na
>> przewodzeniu spadną do ok. 0.4W.

> Tak to w sumie daje 1,4W szacując, czyli maksymalna dopuszczalna moc
> strat tego tranzystora dla TA=25st. C. Zakładając, że w pobliżu jest jednak
> dużo goręcej, nie da rady z tym tranzystorkiem. Chyba dobrze rozumuję...
> To samo odnosi się do wspomnianego wpółczynnika wzrostu Rdson, czyli 1.6
> wydaje się sensowne.

>> Zwróć uwagę, że wszelkie moje szacunki są dla skrajnie niekorzystnych
>> warunków. Rzeczywistość aż tak smutna nie jest. Na przykład przyjęcie
>> Ugs = 4.5V to spora przesada - na pewno nie będzie niższe niż 6V.
>> Podobnie z czasem thl + tlh - trzebaby nieźle dodać pojemności, żeby
>> łączny czas przełączania dobić do 100ns. Itd.
>>
> Ogólnie przesiadłem się na LT3783 i próbuję obliczać według tamtych wzorów.
> Teraz wychodzi mi ok. 1W w sumie moc strat na tranzystorze wspomnianym.
> Myślę, że przy tej mocy warto by pomyśleć jednak o tranzystorze w obudowie
> która pozwoli na rozproszenie tej mocy.

Jasne. Tylko okazuje się, że np. IRLR3114 ma pięciokrotnie większy
ładunek do przeładowania. I co po większej obudowie, skoro moc strat
wzrosła straszliwie?

> Zastanawia mnie też fakt, w tamtych wzorach moc przełączania zależy
> jedynie od Crss (Reverse Transfer Capacitance) jeśli chodzi o parametry
> tranzystora.

Nie każdy producent podaje ten parametr - ja wolę opierać się na
charakterystyce ładunku całkowitego bramki - "długość" plateau w nC
jest parametrem dającym się wprost porównywać. Dla Si4410 wynosi ok. 4
nC, dla IRLR3114 ponad 20 nC.

> Dziękuję serdecznie za wskazówki. Jak się okazuje, to nie sposób przeskoczyć
> obliczeń. Arkusz kalkulacyjny jest bardzo pomocny. I odpowie mi na pytania,
> które postawiłem na początku.



--
Best regards,
RoMan mailto:r...@p...pl
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)