Użytkownik "J.F" <j...@p...onet.pl> napisał w wiadomości
news:jfr9im$1rm$1@inews.gazeta.pl...
> blisko kanalu, a w kanale pelny zakres napiec.

Tutaj jest trochę lepszy rysunek
http://en.wikipedia.org/wiki/Power_MOSFET
W książkach reprodukują bardzo mylące układy gdzie z lewej jest dren z
prawej źródło czy na odwrót a bramka na tym wszystkim leży.
Na rysunku z w.w. linku widać, że pod bramką jest nisko domieszkowany
obszar N połączony z drenem - rokład ładunku w tym obszarze przyjmuje na
siebie Uds i pod samą bramką nie występuje pełne napięcie drenu.
Przy otwieraniu tranzystora pod bramką zaczyna się tworzyć obszar
przewodzący prąd ale bliżej mu do żródła (poprzez jakieś Rdson) i napięcie
pod powierzchnią bramki też nie rośnie.

--
Pozdrawiam,
Łukasz