a...@m...uni.wroc.pl wrote:

> ZCW sa rejestry z wymaganiami na "minimalne" parametry elementow.
> Jak projktujesz uklad tak by "minimalne" parametry wystarczyly
> to mozesz brac elementy od dowolnego producenta. Ale producent
> moze zadeklarowac ze jego elementy sa lepsze, jak na tym
> polegasz to nie mozesz zamienic na element z gorszymi parametrami.

Jasne, ma sens.

>> Czyli dla IRFZ44N od ok. 9 nC do 21 nC, czyli
>> 12 nC zamiast ca?kowitego 63 nC?
>>
>> Zastanawiam si?, czy to, ?e Qgs wynosi 14 nC, ma z tym zwi?zek.
>
> Ten srodkowy odcinek to inaczej "Miller charge", maksymalna wartosc
> w tabeli 2 (czyli najgorzy przypadek) 23nC jest troche wieksza od typowej
> wartosci z wykresu (jak liczyles rzedu 12nC).

A, ok. Jasne. Czyli to dla niego trzeba dobrać czas przeładowania.

>> Tak czy inaczej przegl?daj?c to wszystko mam wniosek taki, ?e mog?
>> bezpiecznie ?adowa? bramk? IRFZ44N (a nie IRF540) z rezystora 3k3
>> i b?dzie bezpiecznie... wniosek s?uszny?
>
> Tak, przy twojej (bardzo niskiej) czestosci przelaczania.

Pytanie co to znaczy "bardzo niska". Cały okres PWM to pół sekundy, ale
minimalnie okres włączenia (lub wyłączenia) ma 32 ms. Czyli w najgorszym
przypadku tranzystor włącza się na 32 ms co pół sekundy (albo odwrotnie,
wyłącza na 32 ms co pół sekundy). To nadal bardzo niska częstotliwość?

> Sa dwa efekty. Ze wzrostem temperatury spada napiecie progrowe
> co powieksza prad. Ale tez ze wzrostem temperatury rosnie opor,
> co obniza prad. Wersja ST ma wiekszy opor, wiec drugi efekt
> bedzie silniejszy czyli krzywa bedzie inna. Czy zmiana bedzie
> istotna? Nie wiem.

Tak... to to o czym pisał Piotr.

--
https://www.youtube.com/watch?v=9lSzL1DqQn0