> Jakoś nie miałem większej styczności z tranzystorami IGBT, ale że zbyt
> duży prąd bramki w MOSFET-ach, potrafi je załatwić więc pytam.

Raczej niemożliwe.
Też spotkałem się z dawaniem szeregowo z bramką małego rezystora.
Ale to do ograniczenia prądu drivera, coby jego nie uszkodzić i do
wyeliminowania wzbudzenia - pojemność bramki, indukcyjność doprowadzeń. To w
bramce.
Zbyt szybkie załączenie tranzystora może spowodować że napięcie na nim
jeszcze się utrzymuje a prąd już narasta (ale przy zbyt wolnym załączaniu
jest to groźniejsze)
ale w tym przypadku to źle dobrany tranzystor - przekraczamy jego
częstotliwość graniczną.
Generalnie to nie zbyt duży prąd bramki uszkadza tranzystor tylko zbyt
szybkie włączenie, wyłączenie obciążenia tranzystora w połączeniu z
indukcyjnością, pojemnością.

--
Desoft