Użytkownik Desoft napisał:
>> Jakoś nie miałem większej styczności z tranzystorami IGBT, ale że zbyt
>> duży prąd bramki w MOSFET-ach, potrafi je załatwić więc pytam.
>
> Raczej niemożliwe.
> Też spotkałem się z dawaniem szeregowo z bramką małego rezystora.
> Ale to do ograniczenia prądu drivera, coby jego nie uszkodzić i do
> wyeliminowania wzbudzenia - pojemność bramki, indukcyjność doprowadzeń.
> To w bramce.
> Zbyt szybkie załączenie tranzystora może spowodować że napięcie na nim
> jeszcze się utrzymuje a prąd już narasta (ale przy zbyt wolnym
> załączaniu jest to groźniejsze)
> ale w tym przypadku to źle dobrany tranzystor - przekraczamy jego
> częstotliwość graniczną.
> Generalnie to nie zbyt duży prąd bramki uszkadza tranzystor tylko zbyt
> szybkie włączenie, wyłączenie obciążenia tranzystora w połączeniu z
> indukcyjnością, pojemnością.

Poplątałeś trzy kwestie.

Jak przekroczymy częstotliwość graniczną tranzystora to faktycznie moc
chwilowa na złączu może przekraczać dopuszczalną - jeśli będziemy to
czynić odpowiednio często (nie dość że strome impulsy to i częstość
duża) to nawet pracując na obciążenie czysto rezystancyjne tranzystor
IGBT nie będzie miał lekko.
Druga kwestia - praca na obciążenie pojemnością zewnętrzną. Tu niewiele
możemy poradzić, prąd już jest a napięcie się utrzymuje bo zewnętrzna
pojemność zgromadziła spory ładunek. Pozostaje dokładnie policzyć czy
tak się da czy większy tranzystor trzeba dać.
I przypadek trzeci - praca na obciążenie indukcyjne. Tu jest o tyle
łatwo że prąd klucza chce zmaleć do zera a indukcyjność ciągnie go dalej
forsując wzrost napięcia - zwykle dołożenie diody w odpowiednim miejscu
rozwiązuje sprawę.

--
Darek