Użytkownik J.F. napisał:

> Jest ryzyko ze oba tranzystory w takim CMOS beda otwarte.
> Oni co prawda cos pisza ze projektowane sa niby odwrotnie, i powinny sie
> oba zamknac przy napieciu z zakresu posredniego..

Sądzę że oszukują. Jak bramka CMOS ma być szybka to musi mieć przejście
przez stan aktywny - bramki z przejściem przez stan wysokiej rezystancji
są zauważalnie wolniejsze. W jednym układzie nie ma za bardzo możliwości
mieszania rodzajów bramek - wymagało by to dodatkowych procesów
technologicznych różnych dla różnych typów bramek - raczej mało
opłacalna zabawa. W efekcie układy z przejściem przez stan wysokiej
impedancji to zupełny margines produkcji - jakieś niezbyt szybkie do
pracy z zasilaniem bateryjnym albo i słabszym.
A że normalne układy CMOS mają przejście przez stan aktywny najlepiej
świadczy spory plik patentów likwidujących układowo (rozsuwanie
sterowania tranzystorów w czasie) ten problem - część z nich miałem
przyjemność analizować, naruszenia jednego kilkukrotnie dowodziłem,
najśmieszniejsze jest to że sam wcześniej naruszyłem ten patent...

--
Darek