Piotr Gałka wrote:

> Niska sprawność oznacza według mnie między innymi dużą emisję.

Te cewki są maleńkie i "nawinięte" litograficznie, z równania antenowego
wychodzą jakieś absurdalnie niskie moce emitowane do otoczenia.

> Moja przygoda z nimi skończyła się chyba na etapie próbek, których nigdy
> w nic nie wlutowałem, a może nawet i próbek nie dostałem.

Ja wlutowałem i się zdziwiłem, po czym przyznałem rację stwierdzeniu, że
czytanie ma przyszłość. Pobór prądu wskazywał, że uszkodziłem chip na
etapie montażu, dopiero późniejsze śledztwo wykazało, że wcale nie.

> Rdzeń stawiasz pionowo (otwór w płytce prostokątny), czy poziomo?

Poziomo.

> Jeśli każde z napięć musi być osobne między sobą to wyobrażam sobie, że
> muszą też być między nimi jakieś odstępy na płytce.

Odbiorniki nawet nie są na tej samej płytce. Każdy mostek H na MOSFETach
SiC to osobna niewielka płytka. Jest nawet na niej miejsce na SN6501 i
maleńki toroid, ale póki co nie obsadzam.

> Nie da się
> wszystkich 20 odbiorników napięcia z tego transformatora umieścić tuż
> przy nim czyli muszą być względnie długie wyprowadzenia z
> transformatora.

Ale oba druciki przewodzą prąd w przeciwnych kierunkach. Wystarczy
zrobić skrętkę i pola się znoszą.

> Jaki duży rdzeń, żeby mieć tam 20 uzwojeń wtórnych (drut TIW nie jest
> super cienki)?

26mm OD, a drut ma 0.2mm, co daje 0.4mm z izolacją.

> Wtórne robisz też symetryczne, czy pojedyncze + 4 diody?

Push-pull to dwa forwardy na jednym rdzeniu. Można więc o tym myśleć
jako o dwóch zintegrowanych przetwornicach zasilających po 10 uzwojeń
każda. Mostki H pracują symetrycznie, więc obciążenia stanowią podobne.
Dlatego wystarcza jedno uzwojenie i jedna dioda na jeden kanał
wyjściowy, co również było poważnym argumentem projektowym. Jeden mostek
to 4 napięcia, +15V i -3.5V brane parami w przeciwfazie. Większe
obciążenia są zasilane z pełnych mostków na bas4002.

> Czy poszczególne izolacje bocznikujesz jakimiś warystorami,
> kondensatorami czy nie?

Nic albo rzadko dławik CMC na wtórnym, jak mi wychodzi za duża pojemność
międzyuzwojeniowa.

> Dlatego uznałem, że w następnym rozwiązaniu będę bocznikował izolację
> warystorem (ma też sporą pojemność)

Warystorów tlenkowych unikam, bo kumulują uszkodzenia wywołane
przepięciami i się psują w mało przewidywalny sposób. A jak już się nie
da inaczej, to stosuję te trójwyprowadzeniowe z bezpiecznikiem termicznym:

https://www.tdk-electronics.tdk.com/inf/70/db/var/SI
OV_Housed_ETFV25.pdf

Łatwo do tego dodać wykrycie uszkodzenia warystora -- generator
relaksacyjny na neonówce obok FPGA wygląda przeuroczo. :-)

https://en.wikipedia.org/wiki/Pearson%E2%80%93Anson_
effect

> O tym aspekcie nie pomyślałem. Ale jak gotowiec DCDC będzie miał
> specyfikację na szeroki zakres temperatur to znaczy, że raczej
> kondensatory powinny być ok.

Owszem, raczej nie, ale mam nieuleczalną alergię na słowo "raczej". ;-)

Pozdrawiam, Piotr