RoMan Mandziejewicz <r...@p...pl.invalid> wrote:

>> bramki jest podawane względem źródła, po prostu dioda robi za swego
>> rodzaju "bootstrap", żeby to źródło miało potencjał względem tej bramki.
>> Czy może jednak dioda diodą, ale to złącze bramka-dren powoduje
>> przewodzenie, a nie bramka-źródło?
>
> MOSFET nie ma złącza bramka do czegokolwiek. Jak sama nazwa wskazuje,
> ma izolowana bramkę.

Tak, racja. Więc jak nazwać to, co nazwałem złączem? Obszar? Bo chyba nie
kanał, kanał dopiero się tworzy / wzbogaca (lub zubaża)...

Tak czy inaczej problem pozostaje -- w BJT w trybie inwersyjnym tranzystor
otwiera się przez przepływ prądu przez złącze BC zamiast BE, a tutaj
przecież MOSFET otworzył się przez potencjał na obszarze GS, nie GD.

Chyba że w MOSFETach ze względu na istnienie diody w strukturze właśnie to
zjawisko jest nazywane trybem inwersyjnym?

--
Eksperymentalnie: http://facebook.com/groups/pl.misc.elektronika