chyba zrozumiałem
czyli chcesz kondensator z opornikiem R i C raz ładuje sie z V1 a po
zaniknieciu V1 przełączać na dren MOSFET tak ze Bedzie przewodził az do
spadku napięcia na tym C a stała czasowa tego Bedzie uzależniona od wartości
C i R . Tak ?
Marek S
Użytkownik "ceat" <c...@g...com> napisał w wiadomości
news:d74d77e7-7958-4db2-a7ed-f33104163356@w30g2000yq
w.googlegroups.com...
On 18 Lip, 19:30, "Marek" <s...@o...pl> wrote:
> No tak nie zrozumiałeś albo ja źle to tłumacze .

Wygląda na to, że nie zrozumiałeś idei.

Zakładam, że zasilanie V1 (póki jest) ma _WYSTARCZAJĄCĄ_WYDAJNOŚĆ_ do
wysterowania małego przekaźnika. Jeśli tak jest - to łączymy:
(posługuję się oznaczeniami z http://en.wikipedia.org/wiki/Relay -
przekaźnik DPDT, Form C czyli Break before Make - dla zapewnienia
separacji galwanicznej)

- zasilanie przekaźnika do V1
- kondensator do 2 styków wspólnych przekaźnika C1 C2
- styki NO (te które przekaźnik łączy ze wspólnymi gdy jest wzbudzony,
czyli B1 B2) - do V1
- styki NC (A1 A2) do bramki i źródła jakiegoś MOSFETa, z równoległym
rezystorem
- dren i źródło tegoż MOSFETa zwiera żądany obwód.

Przy istniejącym zasilaniu przekaźnik jest wzbudzony i podłącza C do
V1 - kondensator się ładuje.
Przy braku zasilania przekaźnik puszcza. Kondensator zostaje
podłączony do bramki i źródła MOSFETa. MOSFET (nie żaden transoptor!)
zwiera TEN OBWÓD CO MA BYĆ ZWARTY.
Rezystor włączony równolegle z G-S rozładowuje kondensator. Po
obniżeniu napięcia na C poniżej napięcia progowego Ugs MOSFETa tenże
rozłącza obwód.
Separację galwaniczną zapewnia przekaźnik - nie ma bezpośredniego
przejścia między V1 a obwodem zwieranym.
Reszta to kwestia dobrania elementów.

Układ można komplikować jeśli konieczne jest szybkie rozłączenie
MOSFETa lub mały czas bierny.

Jeśli to nadal nie spełnia Twoich wymagań - to znaczy że musisz je
doprecyzować.
Pozdrawiam,
Ceat