Hello Fornes,

Wednesday, March 19, 2014, 10:27:13 AM, you wrote:

> w tranzystorze IXTT1N450HV odleglosc po powierzchni obudowy miedzy
> drenem a zrodlem wynosi 5,6mm. Czy to aby nie za malo dla
> deklarowanego dopuszczalnego napiecia UDSmax=4,5kV? Dla porownania
> STFW4N150: 5,4mm przy 1,5kV. Gdzie jest haczyk?

W tym, że te 4.5kV może teoretycznie wytrzymać struktura. Ja bym nie
odważył dać się więcej niż 2.8kV (500V/mm) i to w dobrych warunkach
(brak kurzu i wilgoci).

--
Best regards,
RoMan
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)