W dniu środa, 19 marca 2014 10:47:08 UTC+1 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:
> Hello Fornes,
> W tym, że te 4.5kV może teoretycznie wytrzymać struktura. Ja bym nie
>
> odważył dać się więcej niż 2.8kV (500V/mm) i to w dobrych warunkach
>
> (brak kurzu i wilgoci).

Całość będę chciał polakierować właśnie dla lepszej izolacji ślizgowej.
Napięcie do 3,5kV, ale 4,5kV traktuje jako napięcie "obliczeniowe" izolacji.
Pomyślałem też, że może wyfrezowanie w płytce otworu odsłaniającego część padu
drenowego a następnie polakierowanie go już po zmontowaniu poprawi sytuację. Co o tym
myślicie?
Ciekawostka, tutaj:
http://ixapps.ixys.com/DataSheet/4500V_MOSFETs.pdf

producent tegoż tranzystora chwali się odległością 9,6mm dla obudowy TO-268HV, ale
jest to odległość między bramką za źródłem.

Maciek

>
>
>
> --
>
> Best regards,
>
> RoMan
>
> Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)