Re: Creepage w mosfecie 4,5kV - Grupy dyskusyjne w eGospodarka.pl

eGospodarka.pl › Grupy › pl.misc.elektronika › Creepage w mosfecie 4,5kV › Re: Creepage w mosfecie 4,5kV

X-Received: by 10.140.40.73 with SMTP id w67mr3103qgw.25.1395224508102; Wed, 19 Mar
2014 03:21:48 -0700 (PDT)
X-Received: by 10.140.40.73 with SMTP id w67mr3103qgw.25.1395224508102; Wed, 19 Mar
2014 03:21:48 -0700 (PDT)
Path: news-archive.icm.edu.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!news.cyf-kr.edu.pl!news.nask
.pl!news.nask.org.pl!news.unit0.net!news.glorb.com!ur14no9963659igb.0!news-out.
google.com!du2ni7482qab.0!nntp.google.com!w5no6166843qac.0!postnews.google.com!
glegroupsg2000goo.googlegroups.com!not-for-mail
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Date: Wed, 19 Mar 2014 03:21:47 -0700 (PDT)
In-Reply-To: <7...@p...pl.invalid>
Complaints-To: g...@g...com
Injection-Info: glegroupsg2000goo.googlegroups.com; posting-host=46.170.252.109;
posting-account=YIqggQoAAACKs8MCazLj9c6qdk2_ST8G
NNTP-Posting-Host: 46.170.252.109
References: <b...@g...com>
<7...@p...pl.invalid>
User-Agent: G2/1.0
MIME-Version: 1.0
Message-ID: <0...@g...com>
Subject: Re: Creepage w mosfecie 4,5kV
From: f...@i...pl
Injection-Date: Wed, 19 Mar 2014 10:21:48 +0000
Content-Type: text/plain; charset=ISO-8859-2
Content-Transfer-Encoding: quoted-printable
Xref: news-archive.icm.edu.pl pl.misc.elektronika:661280
[ ukryj nagłówki ]
W dniu środa, 19 marca 2014 10:47:08 UTC+1 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:
> Hello Fornes,
> W tym, że te 4.5kV może teoretycznie wytrzymać struktura. Ja bym nie
>
> odważył dać się więcej niż 2.8kV (500V/mm) i to w dobrych warunkach
>
> (brak kurzu i wilgoci).

Całość będę chciał polakierować właśnie dla lepszej izolacji ślizgowej.
Napięcie do 3,5kV, ale 4,5kV traktuje jako napięcie "obliczeniowe" izolacji.
Pomyślałem też, że może wyfrezowanie w płytce otworu odsłaniającego część padu
drenowego a następnie polakierowanie go już po zmontowaniu poprawi sytuację. Co o tym
myślicie?
Ciekawostka, tutaj:
http://ixapps.ixys.com/DataSheet/4500V_MOSFETs.pdf

producent tegoż tranzystora chwali się odległością 9,6mm dla obudowy TO-268HV, ale
jest to odległość między bramką za źródłem.

Maciek

>
>
>
> --
>
> Best regards,
>
> RoMan
>
> Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)