Dawid Rutkowski wrote:

> Dzięki, jak widać układ jest bogatszy niż się na pierwszy rzut oka sądzi.

Jest znacznie bogatszy nawet w porównaniu z przedstawionym schematem.
Te "diody" są elementem pasożytniczym i trzeba się bardzo nakombinować,
by nie powstały. To są fragment pasożytniczej struktury tyrystorowej.
Dla stosunkowo małych energii działają jak zabezpieczenia nadnapięciowe,
ale większa może tyrystor włączyć i, jak to tyrystor, już w tym stanie
pozostanie aż do odcięcia zasilania (lub wypuszczenia magicznego dymu).
Nazywa się to latchup.

Widziałem ciekawe zastosowanie tych diod: do pinów zegara
mikrokontrolera podłączasz cewkę. Cewkę zbliżasz do innej cewki, która
emituje sygnał o częstotliwości kilkuset kHz. Na pinach mikrokontrolera
pojawia się sygnał, więc masz zegar. Ale jednocześnie ta cewka jest
wpięta w mostek Graetza utworzony przez te diody. Jeśli do VDD/GND
mikrokontrolera podłączysz kondensator (i nic więcej, nie ma zasilacza),
to zasilacz zrobi się "sam". Te trzy elementy wystarczą do zbudowania
prostego systemu zbliżeniowego typu karta płatnicza.

> Kolejna ciekawostka - że "przez miernik przechodzi napięcie",
> choć może niekoniecznie przez miernik, tylko akurat przez tą diodę zabezpieczającą.

Rezystancja wejściowa tanich mierników napięcia to typowo 10MOhm, czyli
w realiach CMOS stosunkowo niedużo. Prąd płynący przez "wyłączony"
MOSFET zależy od rozkładu statystycznego energii nośników ładunku w
krzemie, czyli w zakrytym przed światłem złączu -- od jego temperatury.
Pin Hi-Z działa jak nieliniowy termistor, więc po zasileniu go przez
10M napięcie na nim będzie dość dowolne, jak to w dzielniku.

> Hmm, a jakby tych diod nie było, to takie zmierzeni mogoby jakoś uszkodzić
mikrokontroler?

Następną barierą jest tlenek bramkowy tranzystora wejściowego. Jeśli nie
przekroczysz napięcia przebicia, to nic mu się nie stanie. Np. drivery
MOSFETów często mają zaznaczone maksymalne napięcie ujemne względem GND
i bywają to spore wartości, rzędu -5V. Driver jest blisko tranzystora,
dI/dt spore, indukcyjności ścieżki GND są niezerowe, więc napięcie GND
sobie zauważalnie fruwa wokół 0V i driver musi to przeżyć. A jak
napięcie przekracza napięcie "przebicia" bramki, to wszystko zależy od
wydajności prądowej źródła. Przebicie powstaje albo w wyniku tunelowania
kwantowego przez barierę tlenkową, albo jonizacji lawinowej nośników,
które ugrzęzły w tym tlenku. Jak prąd jest bardzo mały, to i energia z
konieczności jest, więc przez pewien czas nic wielkiego się nie stanie.
A jak nie, no sobie wytopi dziurkę w tym tlenku i układ idzie do kosza.

Pozdrawiam, Piotr