RoMan Mandziejewicz wrote:

> Używam zubożonych MOSFETów jako układów startowych do przetwornic -
> np. LND150 - 1.5 mA przy zwartym źródle z bramką, 0.5 mA przy 1 k? w
> źródle.

Tak, LND150 to fantastyczny i bardzo powtarzalny element, sam sporo
używam. Jak źródło startowe akurat nie, bo ma tylko 500 V_DS_MAX, a
potrzebowałem więcej. Jakiś inny się nadał.

Tylko EPAD to ani MOSFET zubożany, ani wzbogcany - znajuje się dokadnie
w środku. Bliżej mu do https://en.wikipedia.org/wiki/Native_transistor
(to ma polską nazwę?). Jednak wyjątkowo dobrze kontrolują V_TH, więc
pewnie jakieś specjalne domieszkowanie jest, a nie jak w JETach - 0.8V
do 3V, wyjdzie jak wyjdzie.

Pozdrawiam, Piotr