Użytkownik "Pszemol" <P...@P...com> napisał w wiadomości
news:n2geuf$19f$1@dont-email.me...
> "Piotr Gałka" <p...@c...pl> wrote in message
> news:n2g342$urg$1$PiotrGalka@news.chmurka.net...
>> Użytkownik "Pszemol" <P...@P...com> napisał w wiadomości
>> news:n2fgrt$sdv$1@dont-email.me...
>>>
>>> Zamiast brac pierwszą z brzegu, sięgnij do oryginału:
>>> https://en.wikipedia.org/wiki/LM317
>>> https://en.wikipedia.org/wiki/National_Semiconductor
>>> http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm317.pdf
>>>
>>> :-)
>> To tylko recommended :).
>
> Tak czy inaczej, wolę równać rekomendację do wspólnego mianownika
> zamiast ograniczać się do konieczności zakupu akurat wersji od ST,
> bo ta od TI, dawnego Nationala, już będzie mieć jakieś problemy...
Przeglądałem parametry LM317 jakiś rok temu. Interesował mnie ten sam
parametr, ale nie jego minimalna wartość, a maksymalna.
Nie chce mi się teraz sprawdzać, czy dobrze pamiętam, ale od TI można kupić
LM317 według wersji TI i inny według Nationala i każdy z nich jest nieco
inny.
OIDP jeden redukuje ogranicznik prądu ze wzrostem napięcia, a drugi nie (ale
mogę mylić z jeszcze innymi źródłami LM317). Krytykowałem wtedy tu na grupie
ST za ich karty katalogowe LM317 bo ewidentne błędy (które według mnie przy
tak starym układzie już nie powinny mieć miejsca) + za dużo technologii ^C^V
przy tworzeniu pochodnych LM317 (LM317M, LM317L).

Kiedyś (oj, wieki temu) mierzyłem dropout LM317 i pamiętałem, że przy małych
prądach jest poniżej 2V.

Dla mnie to recommended >3V to tak jakby dla tranzystora npn napisać, że
recommended Uce>0,7V i na tej podstawie rezygnować z wykorzystania go jako
klucz.
P.G.