Piotr Wyderski <p...@n...mil> wrote:
> Mo?e ma?o naukowa metoda, ale zrobienie zwarcia sieci
> przez MOSFET w obudowie TO-220 w wi?kszo?ci przypadk?w
> ko?czy si? jego ?mierci?, a na fizycznie podobnym triaku
> nie robi wi?kszego wra?enia. To kawa?ek krzemu i to
> kawa?ek krzemu, wielko?ciowo podobne, parametry obci??alno?ci
> ci?g?ej te? podobne. To sk?d taka r??nica we wra?liwo?ci?
> Co ciekawe, ju? w datasheetach SOAR MOSFET?w dla udar?w
> pr?dowych jest okre?lony dla bardzo kr?tkich czas?w (mikrosekundy),
> a w triakowych mierz? w p??cyklach sinusiody sieciowej (N*10ms).
> Przyczyna musi byc wi?c fundamentalna.

Nie trzeba duzo kombinowac: wg. datasheeta BTA16 przy 150A
spadek napiecia na triaku jest rzedu 4.5V (zakladajac ze
zdazyl sie podgrzac do maksymalnej temperatury). Nie ma
danych dla wiekszych pradow, ale rozsadnie jest zakladac
ze zachowanie nie jest duzo gorsze dla wiekszych pradow.

Dla SPP20N60C3 przy napieciu bramki 20V dla pradu rzedu 80A
mamy spadek napiecia rzedu 25V. To w temperaturze pokojowej.
Jak sie podgrzeje to ten spadek napiecia jest juz przy kolo 40A.
Charakterystyki dla mniejszych napiec bramki pokazuja ze MOSFET
sie nasyca, powyzej pradu nasycenia spadek napiecia szybko wzrasta.
Czyli przy przy wiekszych pradach jest gorzej.

Teraz, jesli siec ograniczala prad np. do 200A to wiekszosc
strat mocy byla w sieci a grzenie triaka bylo ograniczone.
Grzanie MOSFET-a bylo pewnie 5 razy wieksze, a jesli sie
nasycil to moglo byc duzo gorzej. TO220 ma wystarczajaca
pojemnosc cieplna by triak przezyl przy impulsie 150A przez
okres sieci. Przy 5 razy wiekszej energii strat raczej by
padl -- jak MOSFET dostaje 5 razy wieksza energia niz
triak to nic dziwnego ze pada.

--
Waldek Hebisch