Piotr Wyderski <p...@n...mil> wrote:

> Na przykład w nocie aplikacyjnej AN-1140 International Rectifier.

Przeczytałem ten fragment. Ładnie kantują...

> Do takich zastosowań polecam FQA11N90:
>
> https://pl.mouser.com/ProductDetail/on-semiconductor
/fqa11n90-f109/?qs=0lQeLiL1qyZsZX6WOR1JQA%3D%3D&coun
trycode=PL&currencycode=PLN
>
> Jest stosunkowo tani i ma świetne parametry w zakresie liniowym (figure
> 9.). Zrobiłem sobie z nich sztuczne obciążenie 900V/100A (12 sztuk, sam
> radiator tunelowy waży 5 kilo, do tego ponad 800m^3/h chłodzenia
> wymuszonego).

Aż 900V? Tyle nie trzeba :) To napięcie nie jest kosztem czegoś innego?

>> Więc jak oni liczą ten "Continuous Drain Current"?
>
> Przy najmniejszym możliwym napięciu dren-źródło, nieskończenie dobrym
> radiatorze, w pełni wysterowanej bramce i maksymalnej temperaturze
> złącza (150-175 stopni dla obudów epoksydowych i krzemu).

Ok, czyli jeśli zapewni się pracę kluczowaną i właściwe chłodzenie, to
można liczyć na prąd zbliżony do continuous drain current?

> Więc się go optymalizuje pod tym kątem, ale wtedy producent zwykle nie
> gwarantuje braku hot spotów.

Hot spotów, tzn.?

> Często wtedy są podane dwie maksymalne moce strat: impulsowa i liniowa,
> zazwyczaj rzędu 50% impulsowej.

Masz przykład? Zerknąłbym, gdzie i jak to jest opisane w datasheecie.

>>Jeśli tak, to o tyle dobrze, że ja go kluczuję.
>
> Wtedy pracuje w nasyceniu, jeśli napięcie bramki jest dostatecznie wysokie.

Tak... byle tylko przejść przez ten triodowy zakres.

>> Wprawdzie projektując "pod zapas" nie przejmowałem się raczej czasem
>> przeładowywania bramki (bramka jest ściągana do masy przez BC817 +
>> 100R, a do +12V przez 3k3), ale to mogę zmienić.
>
> Weź najtańszy gotowy driver w SO8/DIP8, będzie bez porównania lepszy niż
> ta konstrukcja.

Teraz raczej staram się uratować to, co jest, żeby nie przeprojektowywać
PCB i nie przelutowywać wszystkiego :) Choć jeśli okaże się, że tak jest
bezpieczniej, to zaprojektuję.

Gdybym zmniejszył rezystory (powiedzmy do 1k pull-up i 50R pull-down
przez BC817) i użył IRF540, to czas pracy w triodowym zakresie przy
włączaniu tranzystora będzie na tyle krótki, że będzie OK?

Z pojemności bramki (1700pF), rezystora 1k i zasilania 12V wychodzi mi, że
bramka osiągnie 5V (odczytane z wykresu dla 3.5A + pewien margines) po
900ns. Chyba będzie OK? Dla IRFZ44N jest nawet lepiej (1470pF, 4.5V,
700ns).

Z drugiej strony intuicja podpowiada, że coś mi te czasy za małe wychodzą.
Ale takie wychodzą.

Czy może to się inaczej liczy i trzeba jakoś wziąć pod uwagę ładunek
bramki?

> Brak specyfikacji DC nie oznacza, że jest to wartość beznadziejnie
> niska. Znaczy tylko tyle, że producent nie przewiduje stosowania danego
> elementu w takim zastosowaniu, więc nie zadaje sobie trudu
> specyfikowania tej wartości i potem jej gwarantowania w pełnym zakresie
> obciążeń.

Właśnie tego braku gwarancji się boję. Wolałbym to zrobić porządnie i się
potem nie zastanawiać, czy już się przebił, czy przebije, tym bardziej że
to nie będzie stało u mnie :)

> Po prostu ustawienie automatu testującego na zakres nanoamperów oznacza
> nieakceptowalnie długi czas pomiaru parametru, którego wartość nie ma
> znaczenia w większości zastosowań. A czas to pieniądz. Ktoś musi za te
> ratingi zapłacić.

Hmm, ale to się przecież robi tylko raz, a potem produkuje tranzystor w
miliardach egzemplarzy. Nie opłaca im się to?

--
https://www.youtube.com/watch?v=9lSzL1DqQn0