Użytkownik "Adam Wysocki" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:p8tt6h$a46$1$g...@n...chmurka.net...
J.F. <j...@p...onet.pl> wrote:
>> Jestes, nie jest podawany, bo IMO dla krzemowych, malych, w
>> pokojowej
>> temperaturze i napieciu jest tak maly, ze trudny do zmierzenia.

To dobra wiadomość.

>> Ale usiluje sobie przypomniec teorie dzialania tranzystora ... czy
>> od
>> tego parametru nie zalezy masa innych parametrow ?

>Podejrzewam, że jakoś zależy... ale diabli wiedzą jak.

Tak mi chodzi po glowie, ze w teoretycznym wzorze diody duzo zalezalo
od wartosci pradu nasycenia.

>> -prad dosc duzy jak na baterie - trzeba jakies dobre/duze,
>2x AA.

IMO - to dosc sporo, jak na zwykle baterie. Czytaj - bedzie istotny
spadek.

>> -trzeba dobrze wysterowac PNP, zeby sie nasycil. 30-60mA ... troche
>> szkoda tyle marnowac ...

>Czemu aż tyle? Zakładałem z 10x mniej. hfe podają 100-600.

Ale nie w nasyceniu.
www.onsemi.com/pub/Collateral/BC807-16LT1-D.PDF

figurka 1 - przy 300mA mozesz liczyc na hfe ~150, ale przy Vce 1V.

figurka 2 - nasyca sie pieknie, przy 300mA mozna liczyc na ~0.15V Uce,
ale Ic/Ib =10.

>> -bedzie troche elementow dodatkowych ... pmos chyba prosciej
>> wyjdzie.
>Hmm, przy PMOS będzie ich mniej?
>Mało który PMOS z kolei w pełni otworzy się przy tak niskim Ugs...

Ano niestety.

Sa fajne mosfety w ukladach zabezpieczajacych ogniwa li-ion .... ale
czy one nie sa N ...

J.