Użytkownik "Jacek Maciejewski" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:i...@4...n
et...
Dnia Wed, 9 Oct 2019 07:57:51 +0200, J.F. napisał(a):
> Dnia 08 Oct 2019 20:02:05 GMT, yorgus napisał(a):
>>> Na zdjeciu https://ibb.co/F5ntxq7 struktura jednego pierwszych
>>> polskich krzemowych tranzystorów w.cz.
>>> Pytanie: po co jest ten talerzyk i dlaczego struktura nie lezy
>>> na blasze obudowy? Sam obszar tranzystora jest tez bardzo maly
>>> w stosunku do rozmiaru kryształu.
>
>> Czekaj czekaj ... on nie byl 4-ro koncowkowy ?
>> No byl, obudowa osobno, bo to w.cz, talerzyk polaczony z kolektorem
>> nie promieniuje po calej okolicy, pojemnosc stala itp.
>> A tranzystor ... w.cz, to maly, a krzemu widac sie mniej nie dalo
>> :-)
>
>Panowie, błądzicie: https://pl.wikipedia.org/wiki/Tranzystor_mesa
>Ta "górka" to efekt wytrawienia płytki.

o mowisz, ze "talerzyk" to krzem ?
Krzem chyba jednak zawsze kwadratowy czy prostokatny.

A swoja droga - o co chodzilo w tej technologii MESA ?
Ta dyfuzja obszaru bazy (p), w ktory potem dyfundujemy emiter (n)
nigdy mi sie nie podobala, ale widac dzialala.

W MESA tez jest taka dyfuzja, wiec gdzie tu zysk ?

Pisza o pojemnosci B-C .. istotnie - nieco mniejsza. A przeciez baze
trzeba jakos podlaczyc, wiec pad powinien byc, i to duzy ... czy
oszczednosc istotnie taka duza ?

https://en.wikipedia.org/wiki/Diffused_junction_tran
sistor#Mesa_transistor
tu lepsze rysunki, no - moze i jest oszczednosc, IMO nieduza, ale moze
czestotliwosc rosnie dwukrotnie ...

A jak to epitaksji wyglada ? Nakladaja cienka warstewka bazy, a na nia
cienka warstwe emitera ?
Nie ma podobnych problemow ? Ale techniki jak w MESA sie juz nie
stosuje.

P.S.

"
Double diffusion

At Bell Labs Calvin Souther Fuller produced basic physical
understanding of a means of directly forming the emitter, base, and
collector by double diffusion. The method was summarized in a history
of science at Bell:

Fuller had shown that acceptors of low atomic weight diffuse more
rapidly than donors, which made possible n-p-n structures by
simultaneous diffusion of donors and acceptors of appropriately
different surface concentrations.
The first n layer (the emitter) was formed because of the greater
surface concentration of the donor (for example, antimony).
The base formed beyond it because of the more rapid diffusion of the
acceptor (for example, aluminum).
The inner (collector) boundary of the base appeared where the diffused
aluminum no longer over-compensated the n-type background doping of
the original silicon.
The base layers of the resulting transistors were 4 ?m thick. ...
Resulting transistors had a cut-off frequency of 120 MHz."

Czyli to sie inaczej robilo, niz ksiazki ucza ?

J.