Dnia Wed, 9 Oct 2019 12:17:08 +0200, J.F. <j...@p...onet.pl> napisal:
> Użytkownik "Jacek Maciejewski" napisał w wiadomości grup
> dyskusyjnych:i...@4...n
et...
> Dnia Wed, 9 Oct 2019 07:57:51 +0200, J.F. napisał(a):
>> Dnia 08 Oct 2019 20:02:05 GMT, yorgus napisał(a):
>>>> Na zdjeciu https://ibb.co/F5ntxq7 struktura jednego pierwszych
>>>> polskich krzemowych tranzystorów w.cz.
>>>> Pytanie: po co jest ten talerzyk i dlaczego struktura nie lezy
>>>> na blasze obudowy? Sam obszar tranzystora jest tez bardzo maly
>>>> w stosunku do rozmiaru kryształu.
>>
>>> Czekaj czekaj ... on nie byl 4-ro koncowkowy ?
>>> No byl, obudowa osobno, bo to w.cz, talerzyk polaczony z kolektorem
>>> nie promieniuje po calej okolicy, pojemnosc stala itp.
>>> A tranzystor ... w.cz, to maly, a krzemu widac sie mniej nie dalo
>>> :-)

To byl transzystor który z biedą na 100-200 MHz działał, a najwięcej
to był używany w w odbiornikach na średnie i długie fale typu Iza.
Zupełnie nie wiem po co mu była ta 4 końcówka (btw BF181 tezk chyba je miał).
Miałem w sumie zamiar sprawdzić co jest własnie w BF183 który chyba miał
najwieksze fT z polskich transzytorów z CEMI, ale go nie umiem znaleźć.
Krzem wcale nie jest mały, jest taki jak obecnie, to obszar tranzystora
wlasciwego na środku jest kuriozalnie mały

>>
>>Panowie, błądzicie: https://pl.wikipedia.org/wiki/Tranzystor_mesa
>>Ta "górka" to efekt wytrawienia płytki.
>
> o mowisz, ze "talerzyk" to krzem ?

Talerzyk to na 100% nie jest krzem, jest okrągły i z jakiegoś złoconego metalu.


> Krzem chyba jednak zawsze kwadratowy czy prostokatny.
>
> A swoja droga - o co chodzilo w tej technologii MESA ?
> Ta dyfuzja obszaru bazy (p), w ktory potem dyfundujemy emiter (n)
> nigdy mi sie nie podobala, ale widac dzialala.
>
Pewnie chodzi o to że najpierw do półprzewodnika słabo domieszkowanego n
dmieszkujemy troche p a potem jeszcze wiecej n. Koncentracja domieszek
może być bardzo mała, więc jest tu pole do kompensacji jednego
domieszkowania drugim.


> W MESA tez jest taka dyfuzja, wiec gdzie tu zysk ?
>
> Pisza o pojemnosci B-C .. istotnie - nieco mniejsza. A przeciez baze
> trzeba jakos podlaczyc, wiec pad powinien byc, i to duzy ... czy
> oszczednosc istotnie taka duza ?
>
Pojemnosc złącza jest chyba większa niż pojemnosć doprowadzen


> https://en.wikipedia.org/wiki/Diffused_junction_tran
sistor#Mesa_transistor
> tu lepsze rysunki, no - moze i jest oszczednosc, IMO nieduza, ale moze
> czestotliwosc rosnie dwukrotnie ...
>
> A jak to epitaksji wyglada ? Nakladaja cienka warstewka bazy, a na nia
> cienka warstwe emitera ?
chyba tak, po prostu sie nanosi to co ma być. Tu jest inne
ciekawe pytanie, co w latach 70 i 80 u nas powodowało
ze nie dalo się zrobić tranzystorów o wiekszej ft. Przeciez
żeby mieć ciensza baze, to wystarczy krócej prowadzic epitaksje,
w czym problem.



> Nie ma podobnych problemow ? Ale techniki jak w MESA sie juz nie
> stosuje.
>

epitaksja jest chyba szybsza, lepsza i wygodniejsza

Btw tu jest ciekawy kanał
https://www.youtube.com/watch?v=mvZ1dJuvenw