>> W błąd Waść nie wprowadzaj - tylko część JFETów jest symetryczna tzn.
>> można całkiem bezkarnie zamieniać źródło i dren bez zmian w
>> charakterystyce przewodzenia tranzystora. W pozostałych przypadkach
>> działać po zamianie tranzystor pewnie też będzie, ale już nie koniecznie
>> będzie trzymać parametry katalogowe. O ile się dobrze orientuję to
>> asymetrię w niektórych przyrządach wprowadza się przez nierównomierne
>> domieszkowanie kanału w celu skompensowania nierównomiernego rozkładu
>> ładunku w kanale przy przyłożonym napięciu Vds.
>>
>> Pozdr
>> Portal
>
> Nie spotkałem się z takim tranzystorem. Mógłbyś podać przykład?


Konkretnego modelu nie podam, bo prawdę mówiąc w zamiany źródło-dren
bawiłem się tylko ze standardowym BF245, a on jest zdaje się właśnie
symetryczny. Info odnośnie tego że część JFETów jest asymetryczna
pamiętam jeszcze z wykładów z półprzewodników na PW, a obecnie można bez
trudu znaleźć w googlu wstukując "JFET symmetrical" czy coś podobnego -
dostaniesz np:

http://www.play-hookey.com/semiconductors/junction_f
et.html

"If the channel has a uniform concentration of impurities and the gate
is placed in the middle of the channel, the FET is said to by
symmetrical. In this case, the source and drain are interchangeable,
which can be useful in some applications. However, many FETs are
deliberately constructed to be unsymmetrical, to enhance certain
parameters and behaviors. In these FET types, performance will be
impaired if source and drain are interchanged."

Ogólnie producenci w datasheetach piszą albo że konkretny FET jest
symetryczny, albo nie piszą nic i wtedy nie wiadomo - w tych przypadkach
bezpieczniej jednak stosować dren i źródło zgodnie z oznaczeniem
producenta i nie zamieniać. Nawet są oddzielne symbole dla FETów
synmetrycznych i asymetrycznych patrz np.
http://www.nhn.ou.edu/~bumm/ELAB/Lect_Notes/BJT_FET_
transitors_v1_1.html
, ale niestety w stosowaniu ich panuje pełna dowolność tzn. w schematach
ludzie wrzucają zazwyczaj co się nawinie pod rękę.

Pozdr
Portal