eGospodarka.pl
eGospodarka.pl poleca

eGospodarka.plGrupypl.misc.elektronika › Niskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniu
Ilość wypowiedzi w tym wątku: 15

  • 11. Data: 2017-05-01 14:02:17
    Temat: Re: Niskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniu
    Od: Janusz <j...@o...pl>

    W dniu 2017-04-30 o 04:39, Jacek Radzikowski pisze:
    > On 04/29/17 15:02, Janusz wrote:
    >> W dniu 2017-04-28 o 22:14, AlexY pisze:
    >>> Pszemol pisze:
    >>>> Szukam tranzystora dyskretnego który pełniłby rolę idealnego klucza:
    >>>
    >>> Praktycznie każdy sklep ma filtrowanie paramtrów.
    >>>
    >>>
    >> Żarty sobie stroisz, znam 2 sklepy w Europie które mają filtrowanie w
    >> miarę dobre, to tme i rs, farnel ma cześciowe, a reszta to szkoda pisać.
    >
    > Digikey ma niezłe filtry. Znajdź tam symbol części, a zamówić możesz w
    > dowolnym innym sklepie w EU.
    To nie jest prawda, digikey i mouser mają większy zasób elementów niż
    europejskie sklepy i wielu elementów tutaj nie znajdziesz.


    --
    Pozdr
    Janusz


  • 12. Data: 2017-05-01 14:09:45
    Temat: Re: Niskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniu
    Od: Janusz <j...@o...pl>

    W dniu 2017-04-28 o 14:42, Pszemol pisze:
    > Szukam tranzystora dyskretnego który pełniłby rolę idealnego klucza:
    >
    > 1. niskie napięcie załączenia bramki (Vgs < 2V, najlepiej w okolicy 1V),
    > sterowany będzie z wyjścia Q przerzutnika DFF zasilanego z Vcc=3V)
    Słabo to widzę, nmosy potrzebują wyższych napięć, pozostają ci j-fety
    ale mają dość spory rozrzut parametrów.

    >
    > 2. niska oporność w stanie załączenia (RdsON < 4ohm) będzie
    > załączać termistor o oporności nominalnej 10kohm do ok 3V-GND.
    > 2a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą oporność...
    >
    > 3. niska upływność w stanie wyłączenia (Ids<100nA @ Vgs=0, Vds=3V)
    > będzie wybierać jeden termistor z grupy kilkunastu połączonych
    > równolegle więc chcę aby wpływ pozostałych, wyłączonych termistorów
    > na ten włączony był jak najmniejszy
    Ja bym to zrobił na procku, robisz sznurek po spi gdzie adresujesz i
    odczytujesz wartość, przy dużej liczbie termistorów gwałtownie spadnie
    Ci ilość przewodów, poza tym wpływ pojemności i upływności minimalny
    a z czym miałbyś problem przy przesyle analogowym. SPI można wolniej
    taktować aby zmniejszyć wpływ kabla na transmisję.


    --
    Pozdr
    Janusz


  • 13. Data: 2017-05-02 17:01:23
    Temat: Re: Niskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniu
    Od: Waldemar <w...@z...fu-berlin.de>

    Am 28.04.2017 um 14:42 schrieb Pszemol:
    > Szukam tranzystora dyskretnego który pełniłby rolę idealnego klucza:
    >
    > 1. niskie napięcie załączenia bramki (Vgs < 2V, najlepiej w okolicy 1V),
    > sterowany będzie z wyjścia Q przerzutnika DFF zasilanego z Vcc=3V)
    >
    > 2. niska oporność w stanie załączenia (RdsON < 4ohm) będzie
    > załączać termistor o oporności nominalnej 10kohm do ok 3V-GND.
    > 2a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą oporność...
    >
    > 3. niska upływność w stanie wyłączenia (Ids<100nA @ Vgs=0, Vds=3V)
    > będzie wybierać jeden termistor z grupy kilkunastu połączonych
    > równolegle więc chcę aby wpływ pozostałych, wyłączonych termistorów
    > na ten włączony był jak najmniejszy
    > 3a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą niską upływność...
    >
    > 4. obudowa montaż powierzchniowy, SOT-23 lub jeszcze lepiej SC-70.
    >
    > 5. niska cena i duża dostępność :-))))

    Do celów włącznikowych używam FDC3512, sterowanych z IO mikroprocesora
    (Raspberry), znaczy 3.3V. Do moich celów wystarcza. Ale zobacz u
    Fairchilda, oni mają też lepsze.

    Waldek


  • 14. Data: 2017-05-02 21:07:40
    Temat: Re: Niskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniu
    Od: Pszemol <P...@P...com>

    Waldemar <w...@z...fu-berlin.de> wrote:
    > Am 28.04.2017 um 14:42 schrieb Pszemol:
    >> Szukam tranzystora dyskretnego który pełniłby rolę idealnego klucza:
    >>
    >> 1. niskie napięcie załączenia bramki (Vgs < 2V, najlepiej w okolicy 1V),
    >> sterowany będzie z wyjścia Q przerzutnika DFF zasilanego z Vcc=3V)
    >>
    >> 2. niska oporność w stanie załączenia (RdsON < 4ohm) będzie
    >> załączać termistor o oporności nominalnej 10kohm do ok 3V-GND.
    >> 2a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą oporność...
    >>
    >> 3. niska upływność w stanie wyłączenia (Ids<100nA @ Vgs=0, Vds=3V)
    >> będzie wybierać jeden termistor z grupy kilkunastu połączonych
    >> równolegle więc chcę aby wpływ pozostałych, wyłączonych termistorów
    >> na ten włączony był jak najmniejszy
    >> 3a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą niską upływność...
    >>
    >> 4. obudowa montaż powierzchniowy, SOT-23 lub jeszcze lepiej SC-70.
    >>
    >> 5. niska cena i duża dostępność :-))))
    >
    > Do celów włącznikowych używam FDC3512, sterowanych z IO mikroprocesora
    > (Raspberry), znaczy 3.3V. Do moich celów wystarcza. Ale zobacz u
    > Fairchilda, oni mają też lepsze.

    Dzięki, popatrzę jutro co to za stwor...


  • 15. Data: 2017-05-04 20:02:41
    Temat: Re: Niskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniu
    Od: Pszemol <P...@P...com>

    Waldemar <w...@z...fu-berlin.de> wrote:
    > Am 28.04.2017 um 14:42 schrieb Pszemol:
    >> Szukam tranzystora dyskretnego który pełniłby rolę idealnego klucza:
    >>
    >> 1. niskie napięcie załączenia bramki (Vgs < 2V, najlepiej w okolicy 1V),
    >> sterowany będzie z wyjścia Q przerzutnika DFF zasilanego z Vcc=3V)
    >>
    >> 2. niska oporność w stanie załączenia (RdsON < 4ohm) będzie
    >> załączać termistor o oporności nominalnej 10kohm do ok 3V-GND.
    >> 2a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą oporność...
    >>
    >> 3. niska upływność w stanie wyłączenia (Ids<100nA @ Vgs=0, Vds=3V)
    >> będzie wybierać jeden termistor z grupy kilkunastu połączonych
    >> równolegle więc chcę aby wpływ pozostałych, wyłączonych termistorów
    >> na ten włączony był jak najmniejszy
    >> 3a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą niską upływność...
    >>
    >> 4. obudowa montaż powierzchniowy, SOT-23 lub jeszcze lepiej SC-70.
    >>
    >> 5. niska cena i duża dostępność :-))))
    >
    > Do celów włącznikowych używam FDC3512, sterowanych z IO mikroprocesora
    > (Raspberry), znaczy 3.3V. Do moich celów wystarcza. Ale zobacz u
    > Fairchilda, oni mają też lepsze.

    Fairchild to teraz ON Semiconductors...

    Zerknąłem właśnie do noty katalogowej tego tranzystora co proponujesz i
    powiem Ci, że nie powinieneś tym tranzystorem sterować z procka zasilanego
    3,3V

    Zerknij na wymagane napięcie bramki, tabelka strona 3: Vgs typowo 2,4V, max
    4V.

    Co to oznacza? Ano ze przeważnie jak wyjmiesz tranzystor z paczki to mu
    wystarczy te 3V jakie Ci da na wyjściu procek, ale trafić możesz na
    tranzystor co będzie musiał mieć podane aż 4V aby się przełączyć, a tego Ci
    już procek nie zapewni.

strony : 1 . [ 2 ]


Szukaj w grupach

Szukaj w grupach

Eksperci egospodarka.pl

1 1 1

Wpisz nazwę miasta, dla którego chcesz znaleźć jednostkę ZUS.

Wzory dokumentów

Bezpłatne wzory dokumentów i formularzy.
Wyszukaj i pobierz za darmo: