W dniu 2014-03-19 10:47, RoMan Mandziejewicz pisze:
> Hello Fornes,
>
> Wednesday, March 19, 2014, 10:27:13 AM, you wrote:
>
>> w tranzystorze IXTT1N450HV odleglosc po powierzchni obudowy miedzy
>> drenem a zrodlem wynosi 5,6mm. Czy to aby nie za malo dla
>> deklarowanego dopuszczalnego napiecia UDSmax=4,5kV? Dla porownania
>> STFW4N150: 5,4mm przy 1,5kV. Gdzie jest haczyk?
>
> W tym, że te 4.5kV może teoretycznie wytrzymać struktura. Ja bym nie
> odważył dać się więcej niż 2.8kV (500V/mm) i to w dobrych warunkach
> (brak kurzu i wilgoci).
>
Odporność na kurz, wilgoć itp. można poprawić przez hermetyzację
(zalanie żywicą) czy pokrycie lakierem.