Lisciasty wrote:

> To było luźne pytanie, akurat oglądałem mostki prostownicze trójfazowe,
> taki klasyczny kosztuje dajmy na to 200-300 zł, a taki na SiC 1000 dolców ;)
> Stąd padło pytanie bo nie wiedziałem że takie coś w ogóle zrobili, ale doczytałem
> i jest mniejsze i o wyższej sprawności, więc pewnie stąd się cenią.

Węglik krzemu ma ok. dwunastokrotnie wyższą wartość natężenia pola
krytycznego (przebicia) niż krzem. Dzięki temu dla danego napięcia
przebicia płytka półprzewodnika może być proporcjonalnie cieńsza.
A skoro jest cienka, to odległość drenu od źródła jest mała, więc i
rezystancja kanału jest (absurdalnie) mała w porównaniu do tranzystora o
jednakowej powierzchni, jak krzemowy. Nie trzeba łączyć równolegle aż
tak wielkiej liczby komórek, by zmniejszyć rezystancję kanału do
rozsądnej wartości. Czyli dla założonej rezystancji powierzchnia jest
znacznie mniejsza. A jak tranzystor jest mały, to i pojemności
pasożytnicze ma małe i może znacznie szybciej przełączać. Mobilność
elektronów jest dwukrotnie większa niż w Si, więc tranzystor jest
jeszcze szybszy, niż wynika z samej geometrii.

Spadają straty przewodzenia, a dla ustalonej częstotliwości również
straty przełączania, bo tranzystor krócej spędza w obszarze liniowym.
Możesz więc mieć większą sprawność, większą częstotliwość przełączania
(miniaturyzacja) lub ich dowolną kombinację liniową. Ładunek Q_OSS jest
znacznie niższy niż w tranzystorach krzemowych, więc możesz stosować
topologie, których z krzemu się nie da zrobić, np. PFC w układzie totem
pole.

Jak pisze Irek: dla wyczynówki dopłata za SiC nie jest problemem, a
przemysł wpakował obłędną kasę w R&D i musi się odkuć. Badania kosztują,
podkłady nie są nawet w przybliżeniu tak duże, jak monokryształy
krzemowe, potrzeba też innych maszyn. To wybierasz, czy płacisz, czy
kombinujesz z technologiami tradycyjnymi... Ale odwrotu nie ma, a
badania zaczynają przynosić owoce. Udało się ostatnio np. zwiększyć
V_TH, więc potrzeba stosowania ujemnego napięcia bramkowego jest
rzadsza, albo znika zupełnie. To upraszcza drivery -- koszt systemu
spada, niezawodność rośnie, więc popyt na SiC rośnie, co obniża cenę i
tak w kółko...

A elementy WBG potrafią być szybkie. Kilka tygodni temu pokazywałem, jak
się azotkiem galu przełącza kilka amperów w nanosekundę.

Pozdrawiam, Piotr