Piotr Wyderski <p...@n...mil> wrote:

> To się jeszcze dokop, w jakich warunkach. :-)
> A warunki są typowe: tranzystor jest utopiony w bańce z mieszaniną
> związków fluoroorganicznych o temperaturze wrzenia dostrojonej do 25
> stopni Celsjusza. Każda moja płytka tak ma, Twoja nie?

Hmm. Gdzie tak piszą?

> I wtedy się dowiesz, dlaczego MOSFET zaprojektowany do pracy liniowej
> jest 5--10x droższy od przewidzianego do impulsowej. Na ten przykład
> takie badziewie 100V/100A w postaci IXTN200N10L2 kosztuje drobne
> 150 złotych za sztukę. A przecież wystarczy dać dwa Twoje równolegle
> -- "ale głupi ci Rzymianie". :-)

No tak... ma sens. Ja zwykle używam MOSFETów impulsowo (takie akurat
miałem do tej pory zastosowania) :) Choć przymierzam się do zrobienia tego
układu, a tu już jest sterowany liniowo: http://danyk.cz/avr_aku_en.html

> Jasne, w tranzystorze za dwa złote. Aluminiowe druciki, czasami cienka
> blaszka.

Matkobosko, i to działa :) I ma mały Rdson... dla IRFZ44N podają 17.5 mom,
zmierzone wyszło nawet trochę mniej (57.5 mV @ 3.5 A = 16.42 mom).

> Jakim zapasem, skoro Twój tranzystor w ogóle nie ma specyfikacji DC? :->
> Datasheet => rysunek 8., maksymalna określona przez producenta długość
> impulsu = 10 milisekund. W 22-amperowym IRF540 produkcji ST:
>
> https://global.oup.com/us/companion.websites/fdscont
ent/uscompanion/us/pdf/microcircuits/students/mos/IR
F540-st.pdf
>
> na rysunku GC98090 wyczytasz, że DC SOA to zaledwie 4 ampery.
> "Cuda, cuda ogłaszają!" :->

Faktycznie. Patrzę teraz w datasheet IRFZ44N i nie ma. Zasugerowałem się
"Continuous Drain Current", stwierdziłem że skoro wytrzyma 49 A, to będzie
duuuuży zapas (mam tam 3.5 A). A tu chyba tak nie ma.

Więc jak oni liczą ten "Continuous Drain Current"? To prąd AC? Przecież
impulsowego nie opisaliby (chyba) jako "continuous" :)

Tu gość pisze:

https://electronics.stackexchange.com/questions/3614
07/dc-operation-for-irfz44-mosfet-soa-curve-max-curr
ent-at-40v

"Another mosfet died. This one failed with only 2.5-3.5V at about
2.4-2.5A. So that probably explains the missing dc line in the SOA curve.
This mosfet will fail at above 2A at all voltages below 20V. The dc curve
is a flat line at about 2A till 20V, and falls sharply after that to 400mA
at 40V."

Dobrze rozumiem, że on go upalił pracując w zakresie liniowym? Jeśli tak,
to o tyle dobrze, że ja go kluczuję. Wprawdzie projektując "pod zapas" nie
przejmowałem się raczej czasem przeładowywania bramki (bramka jest
ściągana do masy przez BC817 + 100R, a do +12V przez 3k3), ale to mogę
zmienić.

Niżej doczytałem też, że to hexfet, a one są projektowane do pracy
impulsowej a nie DC. Ale czy na pewno impulsowej, a nie po prostu
kluczowanej? Wspomniany przez ciebie IRF540 to też hexfet :)

Tak czy inaczej martwiące. Tym bardziej, że w tym przypadku przebicie
mosfeta oznacza śmierć (niewyklutych węży -- to sterowanie grzałką
inkubatora). Chciałbym dla spokoju ducha zmienić go na inny. Tylko jaki?
Przejrzałem kilkanaście z tme, które spełniają kryteria (Id, Uds, Rdson)
i żaden nie ma podanego DC SOA. Wspomniany IRF540 ma, ale wydzieli mi 943
mW. Ale może nie ma nic lepszego (o mniejszym Rdson)?

Przyszło mi też na myśl, żeby wyrzucić tego mosfeta i wrzucić zwykły BJT.
TIP41C na przykład. Przy 3.5A powinien mieć Ucesat ok. 250mV (i 350mV przy
150 st. C), czyli rozproszenie mocy 875mW...1225mW. Tylko układ trzeba
będzie przerobić (a jest już zmontowany), bo przy hfe rzędu 25 nie
wysteruję go tak jak mosfeta... a przy IRF540 nie...

--
https://www.youtube.com/watch?v=9lSzL1DqQn0