Piotr Gałka <p...@c...pl> wrote:

> https://www.tme.eu/pl/Document/64cea35058ca125cd0865
c7479df01d5/BC807-xx.pdf
> jest Ices = 100nA max (dla 45V).

Rzeczywiście jest. Patrzyłem tu:

https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BC8
07_BC807W_BC327.pdf

Googlanie za "ices cutoff current" daje trochę wyników...

https://electronics.stackexchange.com/questions/2967
81/bjt-dc-leakage-ices-dependency-with-vce

Ale tu, na przykład, piszą:

https://www.jedec.org/standards-documents/dictionary
/terms/collector-cutoff-current-base-short-circuited
-emitter-ices

"For these parameters, the collector terminal is considered to be biased
in the reverse direction when it is made positive for npn transistors or
negative for pnp transistors with respect to the emitter terminal."

Trochę nie rozumiem, czemu uważają to za "reverse direction". Przecież to
jest normalny kierunek przepływu prądu w tranzystorze (gdy tranzystor jest
otwarty).

> Przypuszczam, że jak emiter zwarty z bazą to prąd mniejszy niż jak
> emiter open. Z tego chyba wynika, że Ices podają dla 45V a Icbo dla 20V.
>
> Wysterowanie B na poziom zgodny z E to prawie ich zwarcie (szczególnie
> jak mówimy o prądach w nA).

U mnie baza będzie zwarta z emiterem przez rezystor (kilkanaście kohm,
czyli dla tak małych prądów zwarcie).

> Sądzę, że praktycznie ten prąd będzie znacznie mniejszy od tych 100nA,
> ale nie chcę strzelać ile.

Tak czy inaczej 100nA jest akceptowalne. W sumie (razem z MCU) niech
będzie i 300 nA, to nadal 2.62 mAh rocznie -- pomijalnie mało.

--
[ Email: a@b a=grp b=chmurka.net ]
[ Web: http://www.chmurka.net/ ]