J.F. wrote:

> IMO - same TO220 plona szybko, a w trakcie eksperymentow/prototypu latwo
> o chwilowe przeciazenia.

Obawiam się, że "chwilowe przeciążenia" impulsowy tranzystor MOSFET w
TO220 zabiją podobnie szybko jak w TO247. Typowe SOA w warunkach ostrego
przeciążenia specyfikuje czas przeżycia tranzystora w okolicach 10us.
Radiator nic nie da, impedancja termiczna nie pozwoli mu się istotnie
ogrzać w tym czasie. A obawiam się, że szanse na to, że rozmawiamy o
MOSFETcie lateralnym, *albo chociaż* o takim z rozszerzonym FBSOA,
*albo chociaż* impulsowym z SOA zdefiniowanym
dla DC są minimalne.

Pozdrawiam, Piotr