Użytkownik "Piotr "Curious" Slawinski" <c...@b...internetdsl.tpnet.lp>
napisał w wiadomości news:hmd3vr$jq9$1@atlantis.news.neostrada.pl...

> gdzies kiedys czytalem ze promieniowanie jonizujace (rentegen, gamma,
> beta) moze 'przprogramowywac' flash, ale w moim regionie 'tlo' jest 5x
> wyzsze niz norma i pomimo iz sporadycznie padaja pamieci DRAM,

Z ciekawości - gdzie mieszkasz? Okolice Wałbrzycha, Kłodzka, Jeleniej
Góry, jakiś Lądek Zdrój?

do góry

Marcin Wasilewski wrote:

> Użytkownik "Piotr "Curious" Slawinski"
> <c...@b...internetdsl.tpnet.lp> napisał w wiadomości
> news:hmd3vr$jq9$1@atlantis.news.neostrada.pl...
>
>> gdzies kiedys czytalem ze promieniowanie jonizujace (rentegen, gamma,
>> beta) moze 'przprogramowywac' flash, ale w moim regionie 'tlo' jest 5x
>> wyzsze niz norma i pomimo iz sporadycznie padaja pamieci DRAM,
>
> Z ciekawości - gdzie mieszkasz? Okolice Wałbrzycha, Kłodzka, Jeleniej
> Góry, jakiś Lądek Zdrój?

tak, te okolice.dokladnie to Luban Slaski - stog izerski widze z okna, a
wode z kranu mam bardziej radoczynna niz woda w hali zdrojowej w Swieradowie
;)


--

do góry

Dzień dobry wszystkim

Właśnie się dowiedziałem co było przyczyną uszkodzeń - okazało się że
nowoczesne karty CF rzeczywiście mają ograniczoną liczbę cykli odczytu.
Zjawisko określa się jako "read disturbances" - objawia się uszkodzeniem
danych w komórkach położonych w pobliżu odczytywanej. Karta jako taka
nie ulega uszkodzeniu - wystarczy ponownie zapisać dane.
Czyli jeśli mamy urządzenie które (np. z przyczyn licencyjnych) nie może
zapisywać na kartę a jednocześnie intensywnie z niej czyta (np.
regularnie liczy CRC... dla bezpieczeństwa :) ) - należy się spodziewać
że przestanie działać.
Pozdrawiam
GRG

do góry

grg12 wrote:

> Zjawisko określa się jako "read disturbances" - objawia się uszkodzeniem
> danych w komórkach położonych w pobliżu odczytywanej.

Ale dlaczego w położonych w pobliżu a nie w tej odczytywanej?
Skoro odczytywana nie jest niszczona to czytać wszystkie.

Mirek.

do góry

grg12 wrote:

> Dzień dobry wszystkim
>
> Właśnie się dowiedziałem co było przyczyną uszkodzeń - okazało się że
> nowoczesne karty CF rzeczywiście mają ograniczoną liczbę cykli odczytu.
> Zjawisko określa się jako "read disturbances" - objawia się uszkodzeniem
> danych w komórkach położonych w pobliżu odczytywanej. Karta jako taka
> nie ulega uszkodzeniu - wystarczy ponownie zapisać dane.
> Czyli jeśli mamy urządzenie które (np. z przyczyn licencyjnych) nie może
> zapisywać na kartę a jednocześnie intensywnie z niej czyta (np.
> regularnie liczy CRC... dla bezpieczeństwa :) ) - należy się spodziewać
> że przestanie działać.
> Pozdrawiam
> GRG

a mozna prosic zrodlo tej informacji i ew. jakich producentow (i jakich
pojemnosci) karty sa na to narazone?
--

do góry

Piotr "Curious" Slawinski pisze:
> a mozna prosic zrodlo tej informacji i ew. jakich producentow (i jakich
> pojemnosci) karty sa na to narazone?

Jutro wypytam kolegę z działu "hardware" - na razie znalazłem krótki
opis zjawiska:
http://www.freshpatents.com/-dt20090205ptan200900343
28.php?type=description

cytat:
During the read-out operation, the read voltage Vread is applied to
control gates of the deselected cell transistors and the ground voltage
is applied to a substrate (e.g., a bulk) of the deselected cell
transistors. The drains of the deselected cell transistors are supplied
with a predetermined voltage. The application of the read voltage Vread
and the ground voltage causes a bias condition during the read-out
operation.

As illustrated in FIG. 3, the bias condition can cause electrons to be
injected into a floating gate of the deselected cell transistor from the
substrate during the read-out operation. The electrons can result in an
unintentional programming (or soft programming) of a deselected cell
transistor in on-state (or erased state), which is referred to as a
'read disturbance'.

A read disturbance may cause threshold voltages of the on-state (or
erased state) memory cells to gradually increase. As noted by the shaded
area shown in FIG. 4, threshold voltages of the on-state memory cells
increase in proportion to number of read-out operations that are
performed. The voltage increases may cause some of the on-state memory
cells to be erroneously detected as off-cells, resulting in read fails.

As the number of read-out operations performed increases, the
probability of a read fail increases as shown in FIG. 5. If the number
of bit errors exceeds a permissible range, a block corresponding thereto
is treated as a bad block. The bad block containing the erroneous data
is replaced by a reserved memory block, which is stored in the flash
memory device. Here, the bad block is caused by a read disturbance, and
not worn out by repetition of the programming or reading operation.
Therefore, the bad block may be reused through erasure and replacement.

Tekst pochodzi o opisu patentu na przeciwdziałanie zjawisku - więc
możliwe że większość kart na rynku nie robi już takich numerów

do góry

grg12 wrote:

> Piotr "Curious" Slawinski pisze:
>> a mozna prosic zrodlo tej informacji i ew. jakich producentow (i jakich
>> pojemnosci) karty sa na to narazone?
>
> Jutro wypytam kolegę z działu "hardware" - na razie znalazłem krótki
> opis zjawiska:
> http://www.freshpatents.com/-
dt20090205ptan20090034328.php?type=description
> with a predetermined voltage. The application of the read voltage Vread
> and the ground voltage causes a bias condition during the read-out
> operation.
>
> As illustrated in FIG. 3, the bias condition can cause electrons to be
> injected into a floating gate of the deselected cell transistor from the
> substrate during the read-out operation. The electrons can result in an


> Tekst pochodzi o opisu patentu na przeciwdziałanie zjawisku - więc
> możliwe że większość kart na rynku nie robi już takich numerów

hum, ciekawostka. nie do konca rozumiem jak napiecie odczytu moze spowodowac
'wstrzykniecie' elektronow do bramek nie-wybranego banku,
zwlaszcza ze w w/w linku brakuje rysunkow ...

bylbym wdzieczny za bardziej szczegolowe informacje, zwlaszcza jakie karty
sa na to narazone - no i czy problem wystepuje tez w mikrokontrolerach (i
jakich?)


--

do góry

Piotr "Curious" Slawinski pisze:
> hum, ciekawostka. nie do konca rozumiem jak napiecie odczytu moze spowodowac
> 'wstrzykniecie' elektronow do bramek nie-wybranego banku,
> zwlaszcza ze w w/w linku brakuje rysunkow ...
>
> bylbym wdzieczny za bardziej szczegolowe informacje, zwlaszcza jakie karty
> sa na to narazone - no i czy problem wystepuje tez w mikrokontrolerach (i
> jakich?)

Sorry - zapomniałem. Posypały sie karty produkcji numonyx i ST -
wielkość 4GB, MLC. Niestety nie udało mi się znaleźć oficjalnych danych
na temat rozmiaru problemu - w wszystkich dataschetach stoi
"nieograniczona liczba cykli odczytu". Dokładnych pomiarów nie robiliśmy
- ale karta potraktowana programem czytającym w kółko jeden sektor po
kilku dniach wykazywała błędy (uszkodzony był sektor którego nie
odczytywano więc program nie wiedział kiedy skończyć). Szacunkowo -
kilka/kilkanaście milionów cykli.
Producent twierdzi że nowe serie kart będą miały inny kontroler który
zabezpiecza przed tym rodzajem błędów.
Pozdrawiam
GRG

do góry

On pią, 26 mar 2010 19:54:07 in article
news:<5dfff$4bad02cb$506cdd75$18233@news.chello.at>
grg12 wrote:
> Sorry - zapomniałem. Posypały sie karty produkcji numonyx i ST -


NAND Read Disturb: Shoo Fly, Don't Bother Me
http://www.edn.com/blog/980000298/post/1670047767.ht
ml?nid=3403
:(

after 100,000 or so reads of a sector, the stored data is actually very
likely to experience corruption. Subsequent reads of the sector will return
the same corrupted data, but the flash sector can be erased and reprogrammed
(with the same data or otherwise) for another 100,000 or so reads. Towards
the end of the useable life of the flash, a written sector may only be good
for 1000 (or less) reads before it looses value.

do góry

http://www.numonyx.com/en-US/ResourceCenter/Software
Articles/Pages/ReduceNANDdefects.aspx
Refresh block on 1-bit error corrects errors due to Read Disturb

The Block Refresh on 1-bit errors feature takes into account
the fact that many transient errors occur due to Read Disturb
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
^^^^^^^^^
(due to NAND architecture, all cells in the same word line are
affected when reading a particular cell) or, in some cases,
voltage degradation over time.

The concept is that if a block reaches a point where transient
errors begin to occur, erasing the block (setting all bits to
"1") and rewriting it may solve the problem. Specifically,
Block Refresh rewrites the block data in a different block that
is not experiencing errors, and then erases (reclaim) the
erroneous block for usage in a later operation.

do góry