J.F wrote:

> Po wtornej stronie?

Zwłaszcza po wtórnej. Zastosowania tego sygnału będą różne (wzmacniacze
magnetyczne, sterowniki izolowane bramek itp.), ale w kilku miejscach
trzeba będzie zrobić 20V z izolacją w postaci drutu TIW. Duża
przekładnia na rdzeniu mi się może fizycznie nie zmieścić, a wtórnych
będzie 4 -- stąd kombinacje.

> Bo po pierwotnej, to jak nizsze napiecie, to mniej zwojow.

Problem jest z wtórnymi. A po pierwotnej -- przekładnię opisuje
zależność liniowa, ale indukcyjność uzwojeń już kwadratowa. Przy nieco
większej liczbie zwojów znacznie spada więc prąd magnesujący.
Eksperymenty na półmostku zbudowanym z GaN (bo był pod ręką) pokazują,
że całkowity prąd jałowy (mostek, sterowniki kluczy, straty w
transformatorze) i jednym transformatorze to 12mA@300kHz, co uważam za
fantastyczny wynik, przy tym uzyskany bez żadnej optymalizacji.

> A po wtornej tyle samo - zakladajac, ze pole w rdzeniu takie samo.

Przy tych mocach każdy rdzeń magnetycznie da radę, problemem jest
wyłącznie okno rdzenia, w większości zajęte przez izolację tego
fantastycznego drutu. Chcę użyć małych rdzeni, max. 9mm OD. Z tego
samego powodu push-pull odpada. Nie mam miejsca na drugie pierwotne,
pomijając już problemy ze snubbingiem dzwoniących uzwojeń w tej
konfiguracji. Mostki wymagają pojedynczego uzwojenia i odzyskują energię
rozproszenia, co tu stanowi wielkie zalety. Przy okazji sprawność jest
wyższa, choć to jest tu mało istotne.

> Ja bym tam obstawial pelny mostek.
> Oszczedac dwa tranzystory, zuzywajac co najmniej jeden na przetwornice
> podnoszaca napiecie ?

Tak to wychodzi: 4 tranzystory i 2 drivery w FB, 3 tranzystory + 2
drivery w boosted HB. Ale się zastanawiam, czy ten półmostek nie może
sam sobie podnieść napięcia zasilania i czy nie wystarczą 2 klucze.
Tranzystor kluczujący z wypełnieniem 50% do masy już w HB jest, a to
połowa boosta. ;)

> No chyba, ze stabilizacja napiecia w tej przetwornicy okaże się
> wiekszą zaletą ... plus zabezpieczenia, np zwarciowe.

Stabilizacja jest po pierwotnej, a spadki napięcia na jednym obciążonym
transformatorze nie powinny się objawić na drugim, jeśli rezystancja
kluczy będzie sensownie niska. Kolejna zaleta łączenia równoległego,
poza dramatyczną redukcją pojemności między niezwiązanymi funkcjonalnie
uzwojeniami. A kondensator szeregowo z pierwotnymi i tak trzeba dać, nie
mam miejsca na luksusy w postaci wyrównywania pola w każdym rdzeniu z
osobna poprzez skracanie impulsu sterującego. Monitorowany będzie tylko
prąd całkowity, bez wnikania, który obwód go przekroczył.

Pozdrawiam, Piotr