Cześć,

Buduję urządzenie, które będzie zasilane bateryjnie, i chcę zrezygnować z
wyłącznika. Procesor (zasilany na stałe, i na stałe uśpiony, wybudzany
przyciskami, pobór wg datasheeta poniżej 200 nA) będzie podawał napięcie
na resztę układu przez tranzystor.

Przeglądam datasheeta BC807, ale nigdzie nie widzę prądu upływu złącza CE,
gdy tranzystor jest zatkany. To jest gdzieś podawane? Standardowe? Da się
oszacować bez mierzenia choćby rząd wielkości? Może lepiej użyć pmosa? Czy
może info jest w datasheecie, tylko ja jestem ślepy?

Jestem w stanie uzyskać w ten sposób ułamki mikroampera?

Normalnie puściłbym zasilanie reszty przez przyciski, ale prąd jest trochę
za duży (tact swiche mają do 50 mA, tu będzie ok. 300 mA).

--
[ Email: a@b a=grp b=chmurka.net ]
[ Web: http://www.chmurka.net/ ]

do góry

W dniu 2018-03-21 o 13:02, Adam Wysocki pisze:
> Cześć,
>
> Buduję urządzenie, które będzie zasilane bateryjnie, i chcę zrezygnować z
> wyłącznika. Procesor (zasilany na stałe, i na stałe uśpiony, wybudzany
> przyciskami, pobór wg datasheeta poniżej 200 nA) będzie podawał napięcie
> na resztę układu przez tranzystor.
>
> Przeglądam datasheeta BC807, ale nigdzie nie widzę prądu upływu złącza CE,
> gdy tranzystor jest zatkany. To jest gdzieś podawane? Standardowe? Da się
> oszacować bez mierzenia choćby rząd wielkości? Może lepiej użyć pmosa? Czy
> może info jest w datasheecie, tylko ja jestem ślepy?
>
> Jestem w stanie uzyskać w ten sposób ułamki mikroampera?
>
> Normalnie puściłbym zasilanie reszty przez przyciski, ale prąd jest trochę
> za duży (tact swiche mają do 50 mA, tu będzie ok. 300 mA).
>

Zajrzałem do TME jako źródła dojścia do różnych pdf.
W tym:
https://www.tme.eu/pl/Document/64cea35058ca125cd0865
c7479df01d5/BC807-xx.pdf
jest Ices = 100nA max (dla 45V).

W innych:
https://www.tme.eu/pl/Document/443bea0044bb250f58448
ece9d8ed297/bc807.pdf
https://www.tme.eu/pl/Document/ce670e859bea6cdf9f164
f388d51af7f/BC807-16.215.pdf

Podają Icbo = 100nA max (dla 20V).

Przypuszczam, że jak emiter zwarty z bazą to prąd mniejszy niż jak
emiter open. Z tego chyba wynika, że Ices podają dla 45V a Icbo dla 20V.

Wysterowanie B na poziom zgodny z E to prawie ich zwarcie (szczególnie
jak mówimy o prądach w nA).

Sądzę, że praktycznie ten prąd będzie znacznie mniejszy od tych 100nA,
ale nie chcę strzelać ile.

Wydaje mi się, że PMOSy mają większe upływności.
P.G.

do góry

Użytkownik "Adam Wysocki" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:p8thkf$64l$1$g...@n...chmurka.net...
>Buduję urządzenie, które będzie zasilane bateryjnie, i chcę
>zrezygnować z
>wyłącznika. Procesor (zasilany na stałe, i na stałe uśpiony,
>wybudzany
>przyciskami, pobór wg datasheeta poniżej 200 nA) będzie podawał
>napięcie
>na resztę układu przez tranzystor.

>Przeglądam datasheeta BC807, ale nigdzie nie widzę prądu upływu
>złącza CE,
>gdy tranzystor jest zatkany. To jest gdzieś podawane? Standardowe? Da
>się
>oszacować bez mierzenia choćby rząd wielkości? Może lepiej użyć
>pmosa? Czy
>może info jest w datasheecie, tylko ja jestem ślepy?
>Jestem w stanie uzyskać w ten sposób ułamki mikroampera?

Jestes, nie jest podawany, bo IMO dla krzemowych, malych, w pokojowej
temperaturze i napieciu jest tak maly, ze trudny do zmierzenia.

Ale usiluje sobie przypomniec teorie dzialania tranzystora ... czy od
tego parametru nie zalezy masa innych parametrow ?

A moze w seryjnej produkcji to on wychodzi powtarzalnie, a mocno
losowo powstaja jakies defekty, ktore przepuszczaja sporo pradu
wstecznego, ale na dzialanie tranzystora nie maja wiekszego wplywu.

Ten prad zalezy tez od tego, czy baza odlaczona czy polaczona z
emiterem.

>Normalnie puściłbym zasilanie reszty przez przyciski, ale prąd jest
>trochę
>za duży (tact swiche mają do 50 mA, tu będzie ok. 300 mA).

To IMO:
-prad dosc duzy jak na baterie - trzeba jakies dobre/duze,
-trzeba dobrze wysterowac PNP, zeby sie nasycil. 30-60mA ... troche
szkoda tyle marnowac ...
-bedzie troche elementow dodatkowych ... pmos chyba prosciej wyjdzie.


J.

do góry

J.F. <j...@p...onet.pl> wrote:

> Jestes, nie jest podawany, bo IMO dla krzemowych, malych, w pokojowej
> temperaturze i napieciu jest tak maly, ze trudny do zmierzenia.

To dobra wiadomość.

> Ale usiluje sobie przypomniec teorie dzialania tranzystora ... czy od
> tego parametru nie zalezy masa innych parametrow ?

Podejrzewam, że jakoś zależy... ale diabli wiedzą jak.

> A moze w seryjnej produkcji to on wychodzi powtarzalnie, a mocno
> losowo powstaja jakies defekty, ktore przepuszczaja sporo pradu
> wstecznego, ale na dzialanie tranzystora nie maja wiekszego wplywu.

Hmm, ale to nie jest prąd wsteczny, tylko prąd przy zatkaniu.

> Ten prad zalezy tez od tego, czy baza odlaczona czy polaczona z
> emiterem.

Będzie podłączona przez rezystor.

> -prad dosc duzy jak na baterie - trzeba jakies dobre/duze,

2x AA. Za tym będzie przetwornica step-up na 5V, a jej obciążenie to
średnio 150 mA (28BYJ-48 5V, czyli albo 100 albo 200 mA w zależności
od ilości sterowanych jednocześnie uzwojeń; średnio 150 mA).

Jak napięcie siądzie, to nie będzie tragedii, byle nie siadło za bardzo
(bo procesor zasilany bezpośrednio z baterii). Sama przetwornica pójdzie i
z 0.8V (tzn. nie wiem czy ruszy, ale jak już ruszy, to powinna pracować).

> -trzeba dobrze wysterowac PNP, zeby sie nasycil. 30-60mA ... troche
> szkoda tyle marnowac ...

Czemu aż tyle? Zakładałem z 10x mniej. hfe podają 100-600.

Tak czy inaczej kluczowe jest dla mnie, żeby układ nie rozładowywał
baterii, gdy będzie leżał w szufladzie. Nie będzie często używany,
ale jak mogę uniknąć wyłącznika, to czemu tego nie zrobić...

> -bedzie troche elementow dodatkowych ... pmos chyba prosciej wyjdzie.

Hmm, przy PMOS będzie ich mniej?

Mało który PMOS z kolei w pełni otworzy się przy tak niskim Ugs...

--
[ Email: a@b a=grp b=chmurka.net ]
[ Web: http://www.chmurka.net/ ]

do góry

Piotr Gałka <p...@c...pl> wrote:

> https://www.tme.eu/pl/Document/64cea35058ca125cd0865
c7479df01d5/BC807-xx.pdf
> jest Ices = 100nA max (dla 45V).

Rzeczywiście jest. Patrzyłem tu:

https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BC8
07_BC807W_BC327.pdf

Googlanie za "ices cutoff current" daje trochę wyników...

https://electronics.stackexchange.com/questions/2967
81/bjt-dc-leakage-ices-dependency-with-vce

Ale tu, na przykład, piszą:

https://www.jedec.org/standards-documents/dictionary
/terms/collector-cutoff-current-base-short-circuited
-emitter-ices

"For these parameters, the collector terminal is considered to be biased
in the reverse direction when it is made positive for npn transistors or
negative for pnp transistors with respect to the emitter terminal."

Trochę nie rozumiem, czemu uważają to za "reverse direction". Przecież to
jest normalny kierunek przepływu prądu w tranzystorze (gdy tranzystor jest
otwarty).

> Przypuszczam, że jak emiter zwarty z bazą to prąd mniejszy niż jak
> emiter open. Z tego chyba wynika, że Ices podają dla 45V a Icbo dla 20V.
>
> Wysterowanie B na poziom zgodny z E to prawie ich zwarcie (szczególnie
> jak mówimy o prądach w nA).

U mnie baza będzie zwarta z emiterem przez rezystor (kilkanaście kohm,
czyli dla tak małych prądów zwarcie).

> Sądzę, że praktycznie ten prąd będzie znacznie mniejszy od tych 100nA,
> ale nie chcę strzelać ile.

Tak czy inaczej 100nA jest akceptowalne. W sumie (razem z MCU) niech
będzie i 300 nA, to nadal 2.62 mAh rocznie -- pomijalnie mało.

--
[ Email: a@b a=grp b=chmurka.net ]
[ Web: http://www.chmurka.net/ ]

do góry

Użytkownik "Adam Wysocki" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:p8ttii$a46$2$g...@n...chmurka.net...
>Googlanie za "ices cutoff current" daje trochę wyników...
>https://electronics.stackexchange.com/questions/296
781/bjt-dc-leakage-ices-dependency-with-vce

>Ale tu, na przykład, piszą:
>https://www.jedec.org/standards-documents/dictionar
y/terms/collector-cutoff-current-base-short-circuite
d-emitter-ices

>"For these parameters, the collector terminal is considered to be
>biased
>in the reverse direction when it is made positive for npn transistors
>or
>negative for pnp transistors with respect to the emitter terminal."

>Trochę nie rozumiem, czemu uważają to za "reverse direction".
>Przecież to
>jest normalny kierunek przepływu prądu w tranzystorze (gdy tranzystor
>jest
>otwarty).

Moze dlatego, ze dioda kolektorowa jest wtedy spolaryzowana zaporowo.

A tranzystor moze akurat pracowac w odwrotnej polaryzacji - tzn mozna
zamienic kolektor z emiterem.
Wiec "normalny" kierunek to jest w normalnie uzytym tranzystorze :-)

J,

do góry

Użytkownik "Adam Wysocki" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:p8tt6h$a46$1$g...@n...chmurka.net...
J.F. <j...@p...onet.pl> wrote:
>> Jestes, nie jest podawany, bo IMO dla krzemowych, malych, w
>> pokojowej
>> temperaturze i napieciu jest tak maly, ze trudny do zmierzenia.

To dobra wiadomość.

>> Ale usiluje sobie przypomniec teorie dzialania tranzystora ... czy
>> od
>> tego parametru nie zalezy masa innych parametrow ?

>Podejrzewam, że jakoś zależy... ale diabli wiedzą jak.

Tak mi chodzi po glowie, ze w teoretycznym wzorze diody duzo zalezalo
od wartosci pradu nasycenia.

>> -prad dosc duzy jak na baterie - trzeba jakies dobre/duze,
>2x AA.

IMO - to dosc sporo, jak na zwykle baterie. Czytaj - bedzie istotny
spadek.

>> -trzeba dobrze wysterowac PNP, zeby sie nasycil. 30-60mA ... troche
>> szkoda tyle marnowac ...

>Czemu aż tyle? Zakładałem z 10x mniej. hfe podają 100-600.

Ale nie w nasyceniu.
www.onsemi.com/pub/Collateral/BC807-16LT1-D.PDF

figurka 1 - przy 300mA mozesz liczyc na hfe ~150, ale przy Vce 1V.

figurka 2 - nasyca sie pieknie, przy 300mA mozna liczyc na ~0.15V Uce,
ale Ic/Ib =10.

>> -bedzie troche elementow dodatkowych ... pmos chyba prosciej
>> wyjdzie.
>Hmm, przy PMOS będzie ich mniej?
>Mało który PMOS z kolei w pełni otworzy się przy tak niskim Ugs...

Ano niestety.

Sa fajne mosfety w ukladach zabezpieczajacych ogniwa li-ion .... ale
czy one nie sa N ...

J.

do góry

W dniu 2018-03-21 o 16:26, Adam Wysocki pisze:
> Trochę nie rozumiem, czemu uważają to za "reverse direction". Przecież to
> jest normalny kierunek przepływu prądu w tranzystorze (gdy tranzystor jest
> otwarty).
>

Nie wczytywałem się, ale w normalnej pracy tranzystora złącze B-E jest
spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze B-K zaporowo.
P.G.

do góry

W dniu 21.03.2018 o 13:02, Adam Wysocki pisze:
> Cześć,

> Jestem w stanie uzyskać w ten sposób ułamki mikroampera?
>
> Normalnie puściłbym zasilanie reszty przez przyciski, ale prąd jest trochę
> za duży (tact swiche mają do 50 mA, tu będzie ok. 300 mA).
>
Dałbym MOSFETa, bo jest spory prąd do sterowania zasilania. Oszacuj jaki
prąd możesz ciągnąć w standby. Może to nie jest wcale 0.1uA, tylko np.
5uA bez problemu. Jeśli chcesz szarpać do 300mA, to raczej nie jest
bateria CR2032, tylko coś większego. Taka CR2032 ma 210mAh i przy
ciągłym poborze prądu 4,5uA to jest 5 lat pracy.

W każdym razie wydaje się, że parametr IDSS to jest to czego szukasz
Przykładowo tutaj poniżej 1uA. Praktycznie pewnie dużo dużo mniej.
https://www.onsemi.com/pub/Collateral/NTR4171P-D.PDF
--
Pozdrawiam
EdiM

do góry

W dniu 23.03.2018 o 21:47, EdiM pisze:

> Jeśli chcesz szarpać do 300mA, to raczej nie jest
> bateria CR2032, tylko coś większego. Taka CR2032 ma 210mAh i przy
> ciągłym poborze prądu 4,5uA to jest 5 lat pracy.

Według datasheetu Panasonica CR2032 ma rezystancję wewnętrzną około
6kOmów. 300mA to odległa abstrakcja.

P.P.

do góry