Dnia Fri, 29 Nov 2019 15:27:31 +0100, Adam Górski <gorskiamalpawpkropkapeel_@xx>
napisal:
>
>> "LOLek"
>>> Przecież na tym twoim rezystorze w szereg z diodą przy mikroamperach
>>> odłoży się tyle co nic i dioda będzie musiała wytrzymać całe ~330V
>>> szczytowego.
>>
>> Idąc twoją dziwną logiką gdybyśmy w układzie z oporem 100k, w miejsce
>> tej LED wstawili Zenerkę 5V6 to na niej też by się odłożyło
>> 330V................................................
.................................
>>
>> Nie kupuję twojej wersji.
>> Twoja wersja byłaby prawdziwa jakby LED miała wsteczne napięcie
>> przebicia nieco ponad 330V, wtedy rzeczywiście najpierw by zaczynały
>> płynąć mikrampery aby gdy dojdzie do punktu przegięcia przywalić prąd
>> max ustalony rezystorem ograniczającym.
>
> W parametrach katalogowych masz max napięcie wsteczne ( zwykle 5V ) i
> podany prąd wsteczny ( pewnie około 10uA ).
>
> Co wraz z rezystorem 100k pięknie niszczy diodę przekraczając napięcie
> wsteczne max dozwolone.
>
> Co jest tutaj dyskusyjne ?
>
> Pozdrawiam
>
> Adam Górski
>
diody na GaN są cienkowarstwowe, i są zupełnie inne od starych czerwonych, zielonych
na AlGaAs gdzie struktura była "objętościowa".
Sa też wrażliwe na elektrostatykę. W dużych diodach, tak jak w dużych mosfetach
to nie jest problem bo mają duża pojemność.